一种多晶纳米带自组装三维中空VS4微球及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811176050.X

申请日：

2018-10-10

公开(公告)号：

CN109264783A

公开(公告)日：

2019-01-25

发明(设计)人：

黄剑锋李文斌冯亮亮曹丽云何枢薇石泓彬马闯王娜

申请人：

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央大学园区

IPC主分类号：

C01G3100

IPC分类号：

H01M458

代理机构：

西安众和至成知识产权代理事务所(普通合伙) 61249

代理人：

张震国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-25	公开	公开
2019-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 31/00 申请日:20181010
2020-07-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种VS4纳米棒/VS2纳米片三维自组装中空棒状复合粉体及其制备方法 [P].

黄剑锋 ;

李文斌 ;

冯亮亮 ;

曹丽云 ;

何枢薇 ;

王娜 ;

范海鑫 .

中国专利 :CN108726571B ,2018-11-02

[2]

一种具有纳米片层组装的三维环状微纳结构的硫化钴的制备方法及其应用 [P].

刘学 ;

王栋 ;

马华 ;

徐恒 .

中国专利 :CN107244699B ,2017-10-13

[3]

一种VOOH/VS4微米复合粉体及其制备方法与应用 [P].

黄剑锋 ;

李文斌 ;

何枢薇 ;

曹丽云 ;

冯亮亮 ;

王娜 ;

畅珣伟 ;

范海鑫 .

中国专利 :CN108126712A ,2018-06-08

[4]

一种多级结构VS4纳米粉体及其制备方法和应用 [P].

黄剑锋 ;

李文斌 ;

王海静 ;

李瑞梓 ;

费杰 ;

曹丽云 ;

任一杰 ;

罗晓敏 ;

闻稼宝 ;

井宣人 .

中国专利 :CN105923652B ,2016-09-07

[5]

一种二级结构CuS中空球、制备方法及其应用 [P].

张利锋 ;

胡越 ;

白嘉玺 ;

李帅 ;

阮欢 ;

刘毅 ;

郭守武 .

中国专利 :CN113428890B ,2021-09-24

[6]

二氧化锡纳米晶嵌入三维中空碳球材料及制备与应用 [P].

何春年 ;

秦戬 ;

赵乃勤 ;

师春生 ;

刘恩佐 ;

李家俊 .

中国专利 :CN106058231A ,2016-10-26

[7]

一种三维纯相硫化钴纳米微球钠离子电池负极材料及其制备方法 [P].

黄剑锋 ;

何枢薇 ;

李文斌 ;

曹丽云 ;

畅珣伟 ;

王娜 ;

范海鑫 ;

白明玥 .

中国专利 :CN109133191B ,2019-01-04

[8]

一种由VS2纳米片组成的分等级结构球的制备方法及应用 [P].

魏明灯 ;

王建标 .

中国专利 :CN109205671A ,2019-01-15

[9]

一种中空镍-氧化镍纳米粒子/多孔碳纳米片层复合材料及其制备方法与应用 [P].

杨春成 ;

张冬梅 ;

崔荣超 ;

文子 ;

赵明 ;

李建忱 ;

蒋青 .

中国专利 :CN108110235A ,2018-06-01

[10]

一种三维多孔MoS2/rGO纳米材料及其制备方法和应用 [P].

许占位 ;

王天 ;

赵怡星 ;

关伟伟 ;

曹丽云 ;

黄剑锋 ;

沈学涛 ;

冯兰 .

中国专利 :CN108899514B ,2018-11-27

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