Si3N4/BAS基陶瓷材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010810929.6

申请日：

2020-08-13

公开(公告)号：

CN114075079A

公开(公告)日：

2022-02-22

发明(设计)人：

董衡李淑琴韩耀王涛吕毅张剑张昊

申请人：

申请人地址：

100074 北京市丰台区云岗北里40号院1-8

IPC主分类号：

C04B35584

IPC分类号：

C04B35195 C04B35628 C04B3564 C04B35626

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-22	公开	公开
2022-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/584 申请日:20200813

共 50 条

[1]

一种制备Si3N4/BAS复合陶瓷材料的方法 [P].

余娟丽 ;

王涛 ;

吕毅 ;

赵英民 ;

郭世峰 ;

裴雨辰 .

中国专利 :CN104496484A ,2015-04-08

[2]

一种制备Si3N4/BAS泡沫陶瓷材料的方法 [P].

余娟丽 ;

王涛 ;

吕毅 ;

赵英民 ;

郭世峰 ;

裴雨辰 .

中国专利 :CN104496521A ,2015-04-08

[3]

一种Si3N4/BAS复相陶瓷材料的制备方法 [P].

余娟丽 ;

王涛 ;

张剑 ;

李淑琴 ;

吕毅 ;

张天翔 ;

赵英民 ;

裴雨辰 .

中国专利 :CN107759240B ,2018-03-06

[4]

一种Si3N4导热陶瓷材料的制备方法 [P].

银锐明 ;

李鹏飞 ;

王雨铮 ;

刘为扬 ;

谢南卿 .

中国专利 :CN113831140A ,2021-12-24

[5]

基于光固化技术制备孔隙梯度Si3N4基陶瓷材料的方法 [P].

董衡 ;

李淑琴 ;

韩耀 ;

张剑 ;

吕毅 ;

张昊 .

中国专利 :CN113800943A ,2021-12-17

[6]

一种超塑性纳米Si3N4基陶瓷材料及其制备方法 [P].

骆俊廷 ;

张春祥 ;

刘日平 .

中国专利 :CN101255058B ,2008-09-03

[7]

界面自韧化Si3N4/SiC片层陶瓷材料的制备方法 [P].

叶枫 ;

刘仕超 ;

张浩谦 ;

张标 ;

刘强 ;

高烨 .

中国专利 :CN105459564A ,2016-04-06

[8]

一种Si3N4陶瓷材料及其制备方法 [P].

曾宇平 ;

梁汉琴 ;

左开慧 ;

夏咏锋 ;

姚冬旭 ;

尹金伟 .

中国专利 :CN112851366B ,2021-05-28

[9]

一种Si3N4/CPP复合陶瓷材料及其制备方法与应用 [P].

于慧君 ;

孙博文 ;

陈传忠 .

中国专利 :CN114315338A ,2022-04-12

[10]

一种痕量原位碳诱导的Si3N4导热陶瓷材料及制备方法 [P].

银锐明 ;

李鹏飞 ;

王雨铮 ;

刘为扬 ;

谢南卿 .

中国专利 :CN113800918B ,2021-12-17

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