利用感应传感器和光学位移传感器的厚度测量

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980064926.8
申请日
2019-09-24
公开(公告)号
CN112789478A
公开(公告)日
2021-05-11
发明(设计)人
迈克尔·孔·耀·休斯 塞巴斯蒂安·蒂克西尔 托比亚斯·内贝尔
申请人
申请人地址
美国新泽西州
IPC主分类号
G01B706
IPC分类号
G01B1106
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
马爽;臧建明
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
光学位移传感器 [P]. 
松本大树 ;
吴哲庸 .
中国专利 :CN113514841A ,2021-10-19
[2]
光学位移传感器 [P]. 
巩马理 ;
潘龙法 ;
范易伟 ;
徐端颐 .
中国专利 :CN2047780U ,1989-11-15
[3]
光学位移传感器 [P]. 
木村彰秀 .
中国专利 :CN113532279A ,2021-10-22
[4]
光学位移传感器 [P]. 
松本大树 ;
吴哲庸 .
日本专利 :CN113514841B ,2025-12-09
[5]
光学位移传感器 [P]. 
陆惠宗 .
中国专利 :CN103983199B ,2014-08-13
[6]
光学位移传感器 [P]. 
鸟井友成 ;
花田智纪 .
中国专利 :CN101196569A ,2008-06-11
[7]
光学位移传感器 [P]. 
中野贵彦 .
中国专利 :CN1493845A ,2004-05-05
[8]
光学位移传感器以及光学位移测量设备 [P]. 
鸟井友成 ;
花田智纪 .
中国专利 :CN101196570B ,2008-06-11
[9]
光学位移传感器元件 [P]. 
马修·拉考勒 ;
伊布鲁·约翰森 ;
托尔·巴克 ;
奥勒-赫尔曼·比约尔 .
中国专利 :CN105308411A ,2016-02-03
[10]
光学位移传感器的调整方法及光学位移传感器的制造方法 [P]. 
山川健太 ;
一柳星文 .
中国专利 :CN102834692B ,2012-12-19