具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010037107.9

申请日：

2020-01-14

公开(公告)号：

CN111217604B

公开(公告)日：

2020-06-02

发明(设计)人：

戴中华谢景龙樊星刘卫国

申请人：

申请人地址：

710032 陕西省西安市未央区学府中路2号

IPC主分类号：

C04B35475

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

西安新思维专利商标事务所有限公司 61114

代理人：

黄秦芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-02	公开	公开
2022-06-24	授权	授权
2020-06-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/475 申请日:20200114

共 50 条

[1]

钛酸铋钠基高储能密度和功率密度陶瓷及制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

闫非 ;

沈波 .

中国专利 :CN110540423A ,2019-12-06

[2]

一种低损耗高储能密度钛酸铋钠基陶瓷的制备方法 [P].

时婧 ;

田文超 ;

刘霄 .

中国专利 :CN106187168A ,2016-12-07

[3]

低电场下高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料及其制备方法 [P].

王娟娟 ;

马鹏康 ;

段学良 ;

赖福生 ;

陈明阳 .

中国专利 :CN117285347B ,2025-06-17

[4]

一种钛酸铋钠基高储能密度陶瓷材料及其制备方法 [P].

杨海波 ;

刘鹏飞 ;

林营 ;

闫非 .

中国专利 :CN108774060A ,2018-11-09

[5]

高储能密度的钛酸铋钠基电介质薄膜及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

陈盼 ;

沈波 .

中国专利 :CN108395245B ,2018-08-14

[6]

钛酸钡基高储能密度电子陶瓷及其制备方法 [P].

戴中华 ;

谢景龙 ;

樊星 ;

刘卫国 .

中国专利 :CN111018516A ,2020-04-17

[7]

一种钛酸铋钠基高储能密度复相陶瓷及其制备方法 [P].

周昌荣 ;

许积文 ;

袁昌来 ;

曾卫东 ;

陈国华 .

中国专利 :CN104649663A ,2015-05-27

[8]

具有高储能密度和高功率密度的铁酸铋钛酸钡基陶瓷及制备方法 [P].

郑鹏 ;

陈志腾 ;

白兴智 ;

白王峰 ;

郑梁 ;

张阳 .

中国专利 :CN111253151B ,2020-06-09

[9]

一种具有高储能密度的掺钐钛酸铋钠-钛酸锶铋陶瓷材料及其制备方法 [P].

赵年顺 ;

黄锋 ;

曹建华 ;

李铮 ;

李成 ;

周云艳 .

中国专利 :CN113213919A ,2021-08-06

[10]

钛酸铋钠钛酸锶基储能陶瓷材料及其制备方法 [P].

郑鹏 ;

孙沛聪 ;

白王峰 ;

郑梁 ;

张阳 .

中国专利 :CN111393161B ,2020-07-10

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