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单光子雪崩二极管
被引:0
申请号
:
CN202111241549.6
申请日
:
2021-10-25
公开(公告)号
:
CN114914324A
公开(公告)日
:
2022-08-16
发明(设计)人
:
朴淳烈
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H01L31107
IPC分类号
:
H01L310352
代理机构
:
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
:
刘久亮;黄纶伟
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-09-02
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/107 申请日:20211025
2022-08-16
公开
公开
共 50 条
[1]
单光子雪崩二极管
[P].
朴淳烈
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
朴淳烈
.
韩国专利
:CN119029078A
,2024-11-26
[2]
单光子雪崩二极管
[P].
朴淳烈
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
朴淳烈
.
韩国专利
:CN114914324B
,2024-09-06
[3]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列
[P].
格奥尔格·勒雷尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
AMS有限公司
AMS有限公司
格奥尔格·勒雷尔
.
:CN111033759B
,2025-06-27
[4]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列
[P].
格奥尔格·勒雷尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
格奥尔格·勒雷尔
.
中国专利
:CN111033759A
,2020-04-17
[5]
单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列
[P].
吴劲昌
论文数:
0
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0
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0
吴劲昌
;
谢晋安
论文数:
0
引用数:
0
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0
谢晋安
;
陈经纬
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0
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0
陈经纬
.
中国专利
:CN114038865A
,2022-02-11
[6]
单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列
[P].
吴劲昌
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吴劲昌
;
谢晋安
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0
谢晋安
;
陈经纬
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0
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0
陈经纬
.
中国专利
:CN216698365U
,2022-06-07
[7]
单光子雪崩二极管
[P].
谢晋安
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0
谢晋安
;
吴劲昌
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吴劲昌
.
中国专利
:CN114284383A
,2022-04-05
[8]
单光子雪崩二极管
[P].
郭明清
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0
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0
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0
机构:
吉光微电子股份有限公司
吉光微电子股份有限公司
郭明清
.
中国专利
:CN118315467A
,2024-07-09
[9]
单光子雪崩二极管
[P].
S·佩莱格里尼
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
意法半导体(R&D)有限公司
意法半导体(R&D)有限公司
S·佩莱格里尼
;
D·格兰斯基
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机构:
意法半导体(R&D)有限公司
意法半导体(R&D)有限公司
D·格兰斯基
;
A·洛佩兹
论文数:
0
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0
机构:
意法半导体(R&D)有限公司
意法半导体(R&D)有限公司
A·洛佩兹
.
英国专利
:CN117393571A
,2024-01-12
[10]
单光子雪崩二极管
[P].
谢晋安
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谢晋安
;
吴劲昌
论文数:
0
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0
吴劲昌
.
中国专利
:CN216980588U
,2022-07-15
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