单光子雪崩二极管

被引:0
申请号
CN202111241549.6
申请日
2021-10-25
公开(公告)号
CN114914324A
公开(公告)日
2022-08-16
发明(设计)人
朴淳烈
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L31107
IPC分类号
H01L310352
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
刘久亮;黄纶伟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
单光子雪崩二极管 [P]. 
朴淳烈 .
韩国专利 :CN119029078A ,2024-11-26
[2]
单光子雪崩二极管 [P]. 
朴淳烈 .
韩国专利 :CN114914324B ,2024-09-06
[3]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
格奥尔格·勒雷尔 .
:CN111033759B ,2025-06-27
[4]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
格奥尔格·勒雷尔 .
中国专利 :CN111033759A ,2020-04-17
[5]
单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
吴劲昌 ;
谢晋安 ;
陈经纬 .
中国专利 :CN114038865A ,2022-02-11
[6]
单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
吴劲昌 ;
谢晋安 ;
陈经纬 .
中国专利 :CN216698365U ,2022-06-07
[7]
单光子雪崩二极管 [P]. 
谢晋安 ;
吴劲昌 .
中国专利 :CN114284383A ,2022-04-05
[8]
单光子雪崩二极管 [P]. 
郭明清 .
中国专利 :CN118315467A ,2024-07-09
[9]
单光子雪崩二极管 [P]. 
S·佩莱格里尼 ;
D·格兰斯基 ;
A·洛佩兹 .
英国专利 :CN117393571A ,2024-01-12
[10]
单光子雪崩二极管 [P]. 
谢晋安 ;
吴劲昌 .
中国专利 :CN216980588U ,2022-07-15