一种一维金属氧化物纳米材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110204453.2

申请日：

2011-07-21

公开(公告)号：

CN102259932A

公开(公告)日：

2011-11-30

发明(设计)人：

刘仲武钟明龙邱万奇钟喜春余红雅曾德长

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

C01G4902

IPC分类号：

C01G5104 C01G302 B82Y4000

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

宫爱鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101169310744 IPC(主分类):C01G 49/02 专利申请号:2011102044532 申请日:20110721
2015-04-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101713240780 IPC(主分类):C01G 49/02 专利申请号:2011102044532 申请公布日:20111130
2011-11-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种一维过渡金属氧化物纳米材料的制备方法 [P].

邱斌 ;

贺鹤勇 ;

焦昆 .

中国专利 :CN1594071A ,2005-03-16

[2]

一种准一维金属氧化物纳米材料的制备方法 [P].

黄平 ;

王飞 ;

张成军 ;

徐可为 .

中国专利 :CN102383105A ,2012-03-21

[3]

一维多孔过渡金属氧化物纳米材料的制备方法 [P].

盛卫琴 ;

应智花 ;

高荣发 .

中国专利 :CN109095440A ,2018-12-28

[4]

一种制备金属氧化物纳米材料的方法 [P].

高善民 ;

孙树声 .

中国专利 :CN1125778C ,2001-03-28

[5]

金属纳米氧化物的制备方法 [P].

刘发利 ;

徐志祥 ;

傅小奇 .

中国专利 :CN105036172A ,2015-11-11

[6]

一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法 [P].

胡秀兰 .

中国专利 :CN103088386B ,2013-05-08

[7]

金属氧化物纳米材料的绿色制备方法 [P].

徐伟 ;

夏鹏 ;

孙倩 ;

张辉 .

中国专利 :CN108408694A ,2018-08-17

[8]

金属氧化物纳米材料 [P].

朱英杰 ;

张凌 .

中国专利 :CN101342486A ,2009-01-14

[9]

一种多金属氧化物纳米材料的制备方法及其应用 [P].

俞书宏 ;

段玉 ;

张楚天 .

中国专利 :CN110240189A ,2019-09-17

[10]

贵金属纳米材料或过渡金属氧化物纳米材料的制备方法 [P].

杨国伟 ;

李红波 ;

刘璞 ;

梁英 .

中国专利 :CN102649162B ,2012-08-29

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