基于牺牲层技术的纳米膜压力传感器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310091919.1

申请日：

2013-03-21

公开(公告)号：

CN103196596A

公开(公告)日：

2013-07-10

发明(设计)人：

揣荣岩王健于能斌李春峰

申请人：

申请人地址：

110870 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号

IPC主分类号：

G01L118

IPC分类号：

代理机构：

沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115

代理人：

宋铁军;周楠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101503525917 IPC(主分类):G01L 1/18 专利申请号:2013100919191 申请日:20130321
2015-07-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101717878761 IPC(主分类):G01L 1/18 专利号:ZL2013100919191 变更事项:专利权人变更前权利人:揣荣岩变更后权利人:江苏奥尼克电气股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:110870 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号变更后权利人:221132 江苏省徐州市贾汪区大吴工业园6号登记生效日:20150625
2015-04-01	授权	授权
2013-07-10	公开	公开

共 50 条

[1]

基于牺牲层技术的纳米膜压力传感器 [P].

揣荣岩 ;

王健 ;

于能斌 ;

李春峰 .

中国专利 :CN203132745U ,2013-08-14

[2]

基于SOI技术的MEMS压力传感器芯片及其制造方法 [P].

揣荣岩 ;

王健 ;

郭浩 ;

赵豪 .

中国专利 :CN103604538A ,2014-02-26

[3]

一种MEMS多晶硅纳米膜压力传感器芯片 [P].

王健 ;

揣荣岩 .

中国专利 :CN205449349U ,2016-08-10

[4]

一种MEMS多晶硅纳米膜压力传感器芯片及其制作方法 [P].

王健 ;

揣荣岩 .

中国专利 :CN105486435A ,2016-04-13

[5]

厚膜压力传感器及其制造方法 [P].

刘胜 ;

王小平 ;

李凡亮 ;

吴登峰 ;

曹万 .

中国专利 :CN105092138A ,2015-11-25

[6]

基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片及其制造方法 [P].

揣荣岩 ;

衣畅 ;

张晓民 ;

关若飞 ;

关艳霞 ;

李新 ;

刘一婷 .

中国专利 :CN105444931A ,2016-03-30

[7]

带温度传感器的多晶硅纳米膜压力传感器及其制作方法 [P].

刘晓为 ;

王喜莲 ;

揣荣岩 ;

陆学斌 ;

施长治 .

中国专利 :CN101639391A ,2010-02-03

[8]

基于MEMS技术微型动态压力传感器及其制造方法 [P].

王景伟 ;

王文襄 ;

石桥 ;

邱丽 ;

丰金妹 .

中国专利 :CN101493367A ,2009-07-29

[9]

半导体压力传感器及其制造方法 [P].

渡边哲也 ;

工藤贵裕 ;

池田恭一 .

中国专利 :CN1149931A ,1997-05-14

[10]

纳米压力传感器 [P].

安志超 ;

杨彪 ;

雷卫武 .

中国专利 :CN2483705Y ,2002-03-27

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