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用于薄膜沉积的装置和方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201480023046.3
申请日
:
2014-08-04
公开(公告)号
:
CN105473761A
公开(公告)日
:
2016-04-06
发明(设计)人
:
徐祥准
朴华仙
郑昊均
赵成珉
刘址范
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
C23C1644
IPC分类号
:
代理机构
:
上海胜康律师事务所 31263
代理人
:
樊英如;李献忠
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-02-02
授权
授权
2016-05-04
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101658488068 IPC(主分类):C23C 16/44 专利申请号:2014800230463 申请日:20140804
2016-04-06
公开
公开
共 50 条
[1]
薄膜沉积装置和薄膜沉积方法
[P].
李沅民
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李沅民
;
杨与胜
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杨与胜
;
张迎春
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张迎春
.
中国专利
:CN101265574A
,2008-09-17
[2]
薄膜沉积装置和用于其的方法
[P].
比约恩·范赫尔文
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比约恩·范赫尔文
;
罗兰·科内利斯·玛丽亚·博希
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罗兰·科内利斯·玛丽亚·博希
;
弗朗西斯库斯·科尔内留斯·丁斯
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弗朗西斯库斯·科尔内留斯·丁斯
.
中国专利
:CN102575348B
,2012-07-11
[3]
沉积薄膜的装置和方法
[P].
李朝晖
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李朝晖
;
宋秋明
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宋秋明
;
张军
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张军
;
顾光一
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顾光一
;
肖旭东
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肖旭东
.
中国专利
:CN103008168B
,2013-04-03
[4]
金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置
[P].
池田太郎
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池田太郎
;
水泽宁
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水泽宁
;
波多野达夫
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波多野达夫
;
横山敦
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横山敦
;
佐久间隆
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佐久间隆
.
中国专利
:CN101213642A
,2008-07-02
[5]
金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置
[P].
池田太郎
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池田太郎
;
水泽宁
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水泽宁
;
波多野达夫
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波多野达夫
;
横山敦
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横山敦
;
佐久间隆
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佐久间隆
.
中国专利
:CN101914752B
,2010-12-15
[6]
薄膜沉积方法和装置
[P].
朱宝
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机构:
上海集成电路制造创新中心有限公司
上海集成电路制造创新中心有限公司
朱宝
;
罗夕琼
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机构:
上海集成电路制造创新中心有限公司
上海集成电路制造创新中心有限公司
罗夕琼
;
沈晓良
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上海集成电路制造创新中心有限公司
上海集成电路制造创新中心有限公司
沈晓良
;
尹睿
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机构:
上海集成电路制造创新中心有限公司
上海集成电路制造创新中心有限公司
尹睿
;
张卫
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机构:
上海集成电路制造创新中心有限公司
上海集成电路制造创新中心有限公司
张卫
.
中国专利
:CN117821940A
,2024-04-05
[7]
薄膜沉积装置和使用该薄膜沉积装置的薄膜沉积方法
[P].
李在哲
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李在哲
.
中国专利
:CN104419892A
,2015-03-18
[8]
薄膜沉积设备和利用其沉积薄膜的方法
[P].
李侑钟
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李侑钟
.
中国专利
:CN103572242A
,2014-02-12
[9]
用于沉积扩散薄膜的方法和装置
[P].
裵相烈
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裵相烈
;
崔时荣
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崔时荣
;
郑圣烨
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郑圣烨
;
崔正炫
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崔正炫
.
中国专利
:CN101868562A
,2010-10-20
[10]
用于薄膜沉积的方法和吸气装置
[P].
A·康特
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A·康特
;
F·马嘉
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F·马嘉
;
M·莫拉加
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M·莫拉加
.
中国专利
:CN1349565A
,2002-05-15
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