学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

基于MoO3/Al2O3双层栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710923085.4
申请日：
2017-09-30
公开(公告)号：
CN107731909A
公开(公告)日：
2018-02-23
发明(设计)人：
张金风 陈万娇 任泽阳 张进成 郝跃
申请人：
申请人地址：
710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
IPC主分类号：
H01L2951
IPC分类号：
H01L2978 H01L21336 H01L2104
代理机构：
陕西电子工业专利中心 61205
代理人：
王品华;朱红星
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-03-20 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/51 申请日:20170930
2018-02-23 公开 公开
2020-08-11 发明专利申请公布后的视为撤回 发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/51 申请公布日:20180223
共 50 条
[1]
V2O5/Al2O3双层栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法 [P]. 
张金风 ;
陈万娇 ;
任泽阳 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN107731910A ,2018-02-23
[2]
基于MoO3/Al2O3双层栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法 [P]. 
张金风 ;
徐佳敏 ;
任泽阳 ;
陈万娇 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN107919394A ,2018-04-17
[3]
基于WO3/Al2O3双层栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法 [P]. 
张金风 ;
刘俊 ;
任泽阳 ;
陈万娇 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN107919396A ,2018-04-17
[4]
基于WO3栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法 [P]. 
张金风 ;
苏凯 ;
徐佳敏 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN107919390A ,2018-04-17
[5]
基于Al2O3/SiNx双层栅介质的金刚石场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
袁冠生 ;
任泽阳 ;
张金风 ;
陈万娇 ;
苏凯 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN110828314A ,2020-02-21
[6]
基于CaF2栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法 [P]. 
张金风 ;
王晨昱 ;
任泽阳 ;
陈万娇 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN107919395A ,2018-04-17
[7]
埋栅金刚石场效应晶体管及制备方法 [P]. 
周闯杰 ;
何泽召 ;
刘庆彬 ;
蔚翠 ;
余浩 ;
马孟宇 ;
李鹏雨 ;
冯志红 .
中国专利 :CN120302686A ,2025-07-11
[8]
金刚石基双层绝缘栅介质场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
王玮 ;
王宏兴 ;
胡超 ;
李奉南 ;
李硕业 ;
刘璋成 ;
张景文 ;
卜忍安 ;
侯洵 .
中国专利 :CN104992974A ,2015-10-21
[9]
一种双层栅介质的金刚石场效应晶体管结构及制作方法 [P]. 
左浩 ;
李升 ;
刘宏明 .
中国专利 :CN109037344A ,2018-12-18
[10]
一种流体栅介质金刚石场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
周闯杰 ;
何泽召 ;
蔚翠 ;
刘庆彬 ;
马孟宇 ;
余浩 ;
李鹏雨 ;
冯志红 .
中国专利 :CN120142419A ,2025-06-13
12345