发光二极管结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200720142839.4

申请日：

2007-04-26

公开(公告)号：

CN201060875Y

公开(公告)日：

2008-05-14

发明(设计)人：

蔡桦欣

申请人：

申请人地址：

台湾省云林县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2500 F21V304

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

何春兰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-14	授权	授权
2014-06-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101583001885 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2007201428394 申请日:20070426 授权公告日:20080514 终止日期:20130426

共 50 条

[1]

发光二极管封装结构 [P].

彭天原 ;

张杰祥 ;

石海莲 ;

王红 ;

王蔚 ;

杨世健 ;

韩冬兰 .

中国专利 :CN206179896U ,2017-05-17

[2]

发光二极管封装结构 [P].

李乃义 .

中国专利 :CN205319184U ,2016-06-15

[3]

发光二极管封装结构 [P].

宋文洲 .

中国专利 :CN207558820U ,2018-06-29

[4]

发光二极管封装结构 [P].

黄苡叡 ;

林素慧 ;

林科闯 ;

陶青山 ;

吴俊毅 .

中国专利 :CN202616230U ,2012-12-19

[5]

发光二极管结构 [P].

沈亚光 .

中国专利 :CN2814678Y ,2006-09-06

[6]

白光发光二极管 [P].

柴广跃 ;

冯丹华 ;

刘文 ;

徐健 ;

李倩珊 ;

阚皞 ;

廖世东 ;

赵阳光 ;

张菲菲 .

中国专利 :CN203179939U ,2013-09-04

[7]

发光二极管装置 [P].

柴广跃 ;

刘文 .

中国专利 :CN203367359U ,2013-12-25

[8]

发光二极管 [P].

刘镇 ;

裴小明 .

中国专利 :CN100470860C ,2007-08-22

[9]

发光二极管 [P].

赖志铭 .

中国专利 :CN102376858A ,2012-03-14

[10]

发光二极管 [P].

黄建中 .

中国专利 :CN201820755U ,2011-05-04

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