基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710039020.3

申请日：

2017-01-19

公开(公告)号：

CN106868596A

公开(公告)日：

2017-06-20

发明(设计)人：

王文杰李俊泽龙衡李沫张健

申请人：

申请人地址：

621999 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B2518 H01S5343

代理机构：

成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211

代理人：

蒋斯琪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-20	公开	公开
2017-07-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101734194084 IPC(主分类):C30B 29/40 专利申请号:2017100390203 申请日:20170119
2020-09-11	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/40 申请公布日:20170620

共 50 条

[1]

一种氮化物外延片的生长方法及氮化镓激光器 [P].

王文杰 ;

龙衡 ;

李俊泽 ;

李沫 ;

张健 .

中国专利 :CN106868472B ,2017-06-20

[2]

在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

陈智斌 ;

吕佳骐 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105734530B ,2016-07-06

[3]

基于石墨烯与磁控溅射氮化铝的硅基氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

陈智斌 ;

吕佳骐 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105655238B ,2016-06-08

[4]

基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

许新鹏 ;

陈智斌 ;

宁静 ;

王东 ;

郝跃 .

中国专利 :CN108428618A ,2018-08-21

[5]

基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

朱家铎 ;

陈智斌 ;

庞凯 ;

吕佳骐 ;

许晟瑞 ;

林志宇 ;

宁静 ;

张金 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105931946B ,2016-09-07

[6]

一种基于六方氮化硼‑石墨烯复合层作为缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法 [P].

王文杰 ;

李沫 ;

李俊泽 ;

张建 ;

杨浩军 ;

谢武泽 ;

邓泽佳 ;

代刚 ;

张健 .

中国专利 :CN107706274A ,2018-02-16

[7]

基于石墨烯与磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

陈智斌 ;

吕佳骐 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105633225A ,2016-06-01

[8]

氮化镓生长方法 [P].

段瑞飞 ;

魏同波 ;

王国宏 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101728248A ,2010-06-09

[9]

基于氮化镓核探测器结构的双面氮化镓薄膜外延生长方法 [P].

李亮 ;

罗伟科 .

中国专利 :CN105755535A ,2016-07-13

[10]

氮化镓或氮化铝镓层的制造方法 [P].

H·拉尔彻 .

中国专利 :CN101978470B ,2011-02-16

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