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一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构

被引：0
申请号：
CN202210392661.8
申请日：
2022-04-15
公开(公告)号：
CN114864571A
公开(公告)日：
2022-08-05
发明(设计)人：
蔡小五 池敏
申请人：
申请人地址：
210019 江苏省南京市建邺区嘉陵江东街18号3号楼16层
IPC主分类号：
H01L2702
IPC分类号：
H01L2360
代理机构：
南京文宸知识产权代理有限公司 32500
代理人：
贾珍珠
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-08-05 公开 公开
2022-08-23 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20220415
共 50 条
[1]
一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构 [P]. 
蔡小五 ;
池敏 .
中国专利 :CN114864571B ,2025-09-09
[2]
一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构 [P]. 
刘吉平 ;
张怀东 ;
周蕴言 ;
冯冰 .
中国专利 :CN206931603U ,2018-01-26
[3]
一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构 [P]. 
刘吉平 ;
张怀东 ;
周蕴言 ;
冯冰 .
中国专利 :CN107170739A ,2017-09-15
[4]
一种集成电路ESD保护电路 [P]. 
马树永 .
中国专利 :CN111262229B ,2025-05-16
[5]
一种集成电路ESD保护电路 [P]. 
马树永 .
中国专利 :CN111262229A ,2020-06-09
[6]
集成电路电源ESD保护电路 [P]. 
李志国 .
中国专利 :CN103646945A ,2014-03-19
[7]
一种集成电路内部ESD保护电路 [P]. 
李志国 .
中国专利 :CN105529693A ,2016-04-27
[8]
ESD保护电路、集成电路及集成模块 [P]. 
周俊伟 ;
王敏 ;
张振华 .
中国专利 :CN119767795A ,2025-04-04
[9]
高压ESD保护结构以及集成电路的保护电路 [P]. 
朱伟民 ;
梅海军 ;
马晓辉 .
中国专利 :CN203774327U ,2014-08-13
[10]
半导体集成电路的ESD保护电路 [P]. 
须藤稔 .
中国专利 :CN102738782B ,2012-10-17
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