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半导体结构的形成方法
被引：0
申请号：
CN202211123380.9
申请日：
2022-09-15
公开(公告)号：
CN115483090A
公开(公告)日：
2022-12-16
发明(设计)人：
张振兴
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L21033
IPC分类号：
H01L21311
G03F180
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
唐嘉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2023-01-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/033 申请日:20220915 |
| 2022-12-16 | 公开 | 公开 |