一种高纯度羟基乙酸晶体的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210526850.6
申请日
2012-12-10
公开(公告)号
CN102964240A
公开(公告)日
2013-03-13
发明(设计)人
赖崇伟 李荣 刘旋 蒋贵仲
申请人
申请人地址
610225 四川省成都市高新区高朋大道5号
IPC主分类号
C07C5906
IPC分类号
C07C5142
代理机构
成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214
代理人
吴彦峰
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
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