一种羟基磷灰石晶须的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310518926.5

申请日：

2013-10-29

公开(公告)号：

CN103541006B

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

陈庆华王端诚颜廷亭

申请人：

申请人地址：

650093 云南省昆明市五华区学府路253号

IPC主分类号：

C30B2914

IPC分类号：

C30B2962 C30B710

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法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-08	授权	授权
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576172838 IPC(主分类):C30B 29/14 专利申请号:2013105189265 申请日:20131029
2014-01-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种磁性羟基磷灰石晶须球的制备方法 [P].

陈庆华 ;

王端诚 ;

颜廷亭 .

中国专利 :CN103541005A ,2014-01-29

[2]

一种羟基磷灰石晶须及其制备方法 [P].

陈庆华 ;

崔永顺 ;

颜廷亭 .

中国专利 :CN103011115A ,2013-04-03

[3]

羟基磷灰石晶须的生产方法 [P].

黄志良 ;

刘羽 .

中国专利 :CN1185373C ,2003-04-16

[4]

一种改性羟基磷灰石晶须的制备方法 [P].

颜廷亭 ;

陈庆华 ;

郭华超 ;

李潘 .

中国专利 :CN108560057A ,2018-09-21

[5]

一种掺锶羟基磷灰石晶须及其制备方法 [P].

陈庆华 ;

崔永顺 ;

黄明华 ;

颜廷亭 .

中国专利 :CN103014832A ,2013-04-03

[6]

高长径比羟基磷灰石晶须的制备方法 [P].

张军 ;

宋邦才 ;

郭进武 ;

卢伟伟 ;

柴元武 ;

胡瑞华 .

中国专利 :CN100543197C ,2008-03-26

[7]

一种花状羟基磷灰石晶须的制备方法 [P].

刘毅 ;

张彪 ;

张利锋 ;

郑鹏 ;

原晓艳 ;

郭守武 .

中国专利 :CN105154965B ,2015-12-16

[8]

一种纳米羟基磷灰石的制备方法 [P].

李玲 ;

刘方刚 ;

杜鹏飞 ;

方云 ;

孙胜楠 ;

夏咏梅 .

中国专利 :CN102502556A ,2012-06-20

[9]

表面改性的羟基磷灰石晶须的应用 [P].

陈庆华 ;

张文云 ;

高伟 ;

袁艳波 .

中国专利 :CN101327167B ,2008-12-24

[10]

一种羟基磷灰石晶须多孔陶瓷支架材料的制备方法 [P].

陈庆华 ;

黄洁 ;

颜廷亭 .

中国专利 :CN106116687A ,2016-11-16

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