氧化镍复合薄膜及其制备方法和LED

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010844701.9

申请日：

2020-08-20

公开(公告)号：

CN111864099B

公开(公告)日：

2020-10-30

发明(设计)人：

赵维巍王浩然

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区桃源街道深圳大学城哈尔滨工业大学校区

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5154 B05D314 B05D100

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

方良

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-19	授权	授权
2020-10-30	公开	公开
2021-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20200820

共 50 条

[1]

一种氧化镍基薄膜及其制备方法和应用、复合氧化镍基薄膜及其应用 [P].

官凌宇 ;

李强 ;

林智成 ;

纪生晓 ;

王煜 ;

邱用雪 ;

杨涛 .

中国专利 :CN119932543A ,2025-05-06

[2]

掺铜氧化镍导电透明薄膜及其制备方法 [P].

杨铭 ;

张群 ;

施展 .

中国专利 :CN102110492A ,2011-06-29

[3]

一种氧化镍薄膜及其制备方法和应用 [P].

唐坤鹏 ;

张艳平 ;

邓祥 ;

赖新暖 ;

赵志波 .

中国专利 :CN118119244A ,2024-05-31

[4]

氧化镍钨薄膜及其制备方法 [P].

孟凡禹 ;

孟政 ;

刘静 ;

汪洪 .

中国专利 :CN107604334A ,2018-01-19

[5]

一种氧化镍薄膜及其制备方法 [P].

王喜娜 ;

王英 ;

彭小牛 ;

袁慧 ;

凡新刚 ;

杨介林 ;

田栋文 .

中国专利 :CN120776269A ,2025-10-14

[6]

镍-氢氧化镍复合薄膜电极及制备方法和应用 [P].

陈柯宇 .

中国专利 :CN111943286A ,2020-11-17

[7]

一种氧化镍薄膜及其低温制备方法和应用 [P].

张爱华 .

中国专利 :CN119285251A ,2025-01-10

[8]

氧化镍薄膜及其制备方法、功能材料、薄膜结构的制作方法及电致发光器件 [P].

金一政 ;

梁骁勇 ;

陈超 .

中国专利 :CN107565033A ,2018-01-09

[9]

超快响应的氧化镍电致变色薄膜及其制备方法和应用 [P].

苏曦 ;

吴昊 ;

徐红星 ;

刘昌 .

中国专利 :CN114924449A ,2022-08-19

[10]

一种磁性氧化镍薄膜及其制备方法 [P].

邹贵付 ;

王炯 ;

易庆华 ;

赵杰 ;

张发云 .

中国专利 :CN112624214A ,2021-04-09

← 1 2 3 4 5 →