一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710343018.5

申请日：

2017-05-16

公开(公告)号：

CN107195746B

公开(公告)日：

2017-09-22

发明(设计)人：

张雄杨刚代倩崔一平

申请人：

申请人地址：

211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

王安琪

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20170516
2019-03-29	授权	授权
2017-09-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有复合电子阻挡层的发光二极管 [P].

张佳胜 ;

蔡吉明 ;

林兓兓 ;

张家宏 .

中国专利 :CN207021278U ,2018-02-16

[2]

一种具有复合极性面电子阻挡层的发光二极管 [P].

张雄 ;

王南 ;

崔一平 .

中国专利 :CN105870283B ,2016-08-17

[3]

一种具有电子阻挡层结构的发光二极管 [P].

张雄 ;

朱敏 ;

崔一平 .

中国专利 :CN103367581A ,2013-10-23

[4]

一种具有空穴注入结构电子阻挡层的发光二极管 [P].

张雄 ;

沈阳 ;

胡国华 ;

崔一平 .

中国专利 :CN111599902A ,2020-08-28

[5]

一种具有复合电子阻挡层结构的紫外发光二极管 [P].

张雄 ;

梁宗文 ;

崔一平 .

中国专利 :CN105977356B ,2016-09-28

[6]

一种具有氮极性面n型电子阻挡层的发光二极管 [P].

张雄 ;

徐珅禹 ;

胡国华 ;

崔一平 .

中国专利 :CN113257968B ,2021-08-13

[7]

具有光阻挡层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN108110117B ,2018-06-01

[8]

一种具有变Al组分电子阻挡层的发光二极管 [P].

张雄 ;

崔佳 ;

罗旭光 ;

胡国华 ;

崔一平 .

中国专利 :CN115050869A ,2022-09-13

[9]

一种具有新型的P型电子阻挡层结构的发光二极管的生长方法 [P].

李刚 ;

郭丽彬 .

中国专利 :CN103730557B ,2014-04-16

[10]

具有反向隧穿层的发光二极管 [P].

欧震 ;

黄兆年 ;

章绢明 .

中国专利 :CN1353466A ,2002-06-12

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