基于相变材料的多阶存储光盘读写系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01139829.9

申请日：

2001-11-30

公开(公告)号：

CN1142546C

公开(公告)日：

2002-06-05

发明(设计)人：

徐端颐佘鹏刘嵘雷志军齐国生

申请人：

申请人地址：

100084北京市100084－82信箱

IPC主分类号：

G11B709

IPC分类号：

G11B700

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-03-17	授权	授权
2010-01-27	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-03-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-06-05	公开	公开

共 50 条

[1]

基于相变材料的多阶存储光盘信号的相位检测法及其装置 [P].

徐端颐 ;

佘鹏 ;

雷志军 ;

刘嵘 .

中国专利 :CN1224965C ,2002-05-15

[2]

高密度存储光盘的读写系统 [P].

周常河 ;

罗红心 .

中国专利 :CN1632867A ,2005-06-29

[3]

用于数字彩色三层多阶光盘的读写装置 [P].

齐国生 ;

麦雪松 ;

徐端颐 ;

赵辉 .

中国专利 :CN1142547C ,2002-07-03

[4]

用于数字彩色多层多阶光盘读写的合光装置 [P].

徐端颐 ;

齐国生 ;

巩马理 ;

阎平 ;

廖宁放 .

中国专利 :CN1106009C ,2000-09-13

[5]

双光束多阶存储光盘 [P].

阮昊 ;

李伟权 ;

李曹建 .

中国专利 :CN201111894Y ,2008-09-10

[6]

具有多层可重写相变记录层的多层多阶光盘 [P].

徐端颐 ;

雷志军 ;

佘鹏 ;

刘嵘 ;

区定容 .

中国专利 :CN1352456A ,2002-06-05

[7]

一种基于多级存储型相变存储器的读写方法及系统 [P].

雷鑑铭 ;

刘黛眉 ;

毛奕陶 .

中国专利 :CN108665925B ,2018-10-16

[8]

基于相变材料的存储器电路 [P].

V·巴基 ;

S·让诺 ;

T·卡鲍特 ;

C·博卡乔 ;

J·桑德里尼 .

:CN121194469A ,2025-12-23

[9]

一种双光束多阶存储光盘 [P].

阮昊 ;

李伟权 ;

李曹建 .

中国专利 :CN101136214A ,2008-03-05

[10]

复合相变存储材料、制备复合相变存储材料薄膜的方法 [P].

宋志棠 ;

张挺 ;

饶峰 ;

吴良才 ;

宋三年 .

中国专利 :CN101984512B ,2011-03-09

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