厚膜超导电子器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN88101614.4

申请日：

1988-03-31

公开(公告)号：

CN1036300A

公开(公告)日：

1989-10-11

发明(设计)人：

林安中李汉青

申请人：

申请人地址：

北京市新街口外大街2号

IPC主分类号：

H01L3922

IPC分类号：

H01L3924

代理机构：

北京市第三专利代理事务所

代理人：

陆菊华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1989-10-11	公开	公开
1991-10-30	授权	授权
1991-03-27	审定	审定
2000-07-05	著录项目变更	著录项目变更变更事项:专利权人变更前:北京有色金属研究院变更后:有研半导体材料股份有限公司变更事项:地址变更前:100088北京市新街口外大街2号变更后:100088北京市海淀区北三环中路43号
2005-06-01	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24	其他有关事项	其他有关事项
1990-12-19	实质审查请求	实质审查请求

共 50 条

[1]

电子器件及其制造方法 [P].

根上卓之 ;

桥本泰宏 ;

井上浩伸 .

中国专利 :CN1499649A ,2004-05-26

[2]

采用超导材料的电子器件 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN1031627A ,1989-03-08

[3]

制造电子器件的方法和电子器件 [P].

H·博伊泽恩 ;

S·G·登哈托格 ;

P·J·弗伦奇 ;

K·A·A·马金瓦 .

中国专利 :CN1747891A ,2006-03-15

[4]

电子器件及其制造方法 [P].

渡边真司 ;

山口幸雄 .

中国专利 :CN100543953C ,2006-11-15

[5]

电子器件及其制造方法 [P].

金晃衍 .

韩国专利 :CN113809119B ,2024-05-28

[6]

电子器件及其制造方法 [P].

张红梅 ;

刘梦雪 .

中国专利 :CN111524818A ,2020-08-11

[7]

电子器件及其制造方法 [P].

M·A·德萨姆伯 ;

J·W·维坎普 .

中国专利 :CN100459116C ,2005-07-27

[8]

电子器件及其制造方法 [P].

G·威廉姆斯 .

中国专利 :CN104183784A ,2014-12-03

[9]

电子器件及其制造方法 [P].

栎原勉 ;

椿健治 ;

久保雅男 ;

越田信义 .

中国专利 :CN102792411A ,2012-11-21

[10]

电子器件及其制造方法 [P].

角田雄二 ;

水谷浩 .

中国专利 :CN101174598A ,2008-05-07

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