一种低阻高透过率的ITO导电膜结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201821717136.4
申请日
2018-10-23
公开(公告)号
CN209071007U
公开(公告)日
2019-07-05
发明(设计)人
华建军 卢相学
申请人
申请人地址
516227 广东省惠州市惠阳区镇隆镇甘陂村永华工业园H栋厂房一楼
IPC主分类号
H01B514
IPC分类号
H01B108 H01B102
代理机构
惠州创联专利代理事务所(普通合伙) 44382
代理人
赵瑾
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种低阻高透过率ITO导电膜 [P]. 
唐安泰 .
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[2]
一种低电阻高透过率ITO导电膜 [P]. 
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[3]
一种高透过率ITO导电玻璃 [P]. 
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宗亚伟 .
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[4]
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[5]
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陈超 ;
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赵飞 ;
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[6]
一种新型ITO导电膜结构 [P]. 
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中国专利 :CN203552210U ,2014-04-16
[7]
一种新型双面ITO导电膜结构 [P]. 
李晨光 .
中国专利 :CN203552723U ,2014-04-16
[8]
一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜 [P]. 
王志坚 ;
陈超 ;
陈涛 ;
赵飞 ;
张涛 .
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[9]
一种低b*值高透过率导电膜 [P]. 
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曾西平 ;
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[10]
一种新型双面柔性ITO导电膜结构 [P]. 
李晨光 .
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