一种平面栅IGBT及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610414414.8

申请日：

2016-06-13

公开(公告)号：

CN105932050A

公开(公告)日：

2016-09-07

发明(设计)人：

张金平张玉蒙田丰境刘竞秀李泽宏任敏张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L29417

IPC分类号：

H01L29423 H01L2966 H01L29739

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101681313204 IPC(主分类):H01L 29/417 专利申请号:2016104144148 申请日:20160613
2022-06-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/417 申请日:20160613 授权公告日:20180904 终止日期:20210613
2018-09-04	授权	授权
2016-09-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种平面栅IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

陈文梅 ;

黄孟意 ;

田丰境 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN105870181B ,2016-08-17

[2]

一种平面栅IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

陈文梅 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN105932055A ,2016-09-07

[3]

一种平面栅IGBT及其制作方法 [P].

赵哿 ;

王耀华 ;

高明超 ;

刘江 ;

金锐 ;

温家良 .

中国专利 :CN104393032A ,2015-03-04

[4]

一种平面栅IGBT器件及其制作方法 [P].

杨昆霖 ;

张伟 ;

廖光朝 .

中国专利 :CN120812964A ,2025-10-17

[5]

一种平面型SiC IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

吴庆霖 ;

张波 .

中国专利 :CN114937689A ,2022-08-23

[6]

一种沟槽栅IGBT器件及其制造方法 [P].

张金平 ;

田丰境 ;

底聪 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN105789290B ,2016-07-20

[7]

一种平面栅型IGBT芯片制作方法 [P].

刘国友 ;

覃荣震 ;

黄建伟 .

中国专利 :CN102969243B ,2013-03-13

[8]

一种具有分裂栅结构的超结IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

汪俊 ;

谢恺迪 ;

黄书杨 ;

张波 .

中国专利 :CN120201735A ,2025-06-24

[9]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

赵倩 ;

罗君轶 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN108321193B ,2018-07-24

[10]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

朱镕镕 ;

肖翔 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN113838915A ,2021-12-24

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