一种氧化铜纳米线的超疏水复合结构制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810391335.9

申请日：

2018-04-27

公开(公告)号：

CN108504984A

公开(公告)日：

2018-09-07

发明(设计)人：

颜黄苹肖啸陈延平徐志凯陈伊莎

申请人：

申请人地址：

361005 福建省厦门市思明南路422号

IPC主分类号：

C23C812

IPC分类号：

C23C802 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200

代理人：

马应森

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-07	公开	公开
2020-10-13	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 8/12 申请公布日:20180907
2018-10-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 8/12 申请日:20180427

共 50 条

[1]

纳米多孔氧化铜/氧化铜纳米线复合结构及其制备方法 [P].

杨卿 ;

楚思清 .

中国专利 :CN107986316A ,2018-05-04

[2]

氧化铜纳米线的制备方法 [P].

周明杰 ;

邵鹏睿 ;

马文波 .

中国专利 :CN102858689A ,2013-01-02

[3]

一种氧化铜纳米线的制备方法 [P].

苗中正 ;

苗爱民 ;

张立云 .

中国专利 :CN109305696B ,2019-02-05

[4]

一种氧化铜纳米线的制备方法 [P].

储德清 ;

葛歌 ;

杨路峰 ;

王志龙 ;

孙慧娄 .

中国专利 :CN106315660A ,2017-01-11

[5]

一种氧化铜纳米线的制备方法 [P].

李浩 .

中国专利 :CN105712741A ,2016-06-29

[6]

一种氢氧化铜纳米线及多孔氧化铜纳米线的制备方法 [P].

廖勇志 ;

李俊杰 ;

刘靖润 .

中国专利 :CN120081410A ,2025-06-03

[7]

一种氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法 [P].

杜祖亮 ;

乔振聪 ;

程轲 ;

程纲 .

中国专利 :CN102181831A ,2011-09-14

[8]

一种纳米氧化铜超疏水薄膜的制备方法 [P].

魏臻 ;

张志梅 ;

刘学文 .

中国专利 :CN104829143A ,2015-08-12

[9]

一种纳米氧化铜超疏水涂料的制备方法 [P].

徐雪霞 ;

王庆 ;

陈志强 ;

冯砚厅 ;

侯双林 ;

李文彬 ;

王勇 .

中国专利 :CN105505204A ,2016-04-20

[10]

一种氧化铜纳米线及其制备方法和应用 [P].

夏晓红 ;

高云 ;

曹宇光 .

中国专利 :CN110342563A ,2019-10-18

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