纳米级硅化物和Laves相增强难熔高熵合金材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111096394.1
申请日
2021-09-16
公开(公告)号
CN113862542B
公开(公告)日
2021-12-31
发明(设计)人
马兆龙 刘宸毓 徐子祁 程兴旺
申请人
申请人地址
100081 北京市海淀区中关村南大街5号
IPC主分类号
C22C3000
IPC分类号
C22C2702 C22F118 C22C3200
代理机构
北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙) 11639
代理人
邬晓楠
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
纳米硅化物增强难熔高熵合金及其制备方法 [P]. 
程兴旺 ;
徐子祁 ;
谈燕 ;
马兆龙 .
中国专利 :CN113373365B ,2021-09-10
[2]
陶瓷相增强难熔高熵合金及其制备方法 [P]. 
沈宝龙 ;
王冰洁 ;
王倩倩 ;
孙博 ;
郭杨斌 .
中国专利 :CN113789464B ,2021-12-14
[3]
硅化物析出强化难熔高熵合金及其制备方法 [P]. 
徐琴 ;
王星 ;
谈重阳 ;
毕晓勤 ;
陈瑞润 .
中国专利 :CN110438387B ,2019-11-12
[4]
具有大塑性变形能力的难熔高熵合金材料及其制备方法 [P]. 
程兴旺 ;
徐子祁 ;
王梦 ;
陈义文 ;
谭友德 .
中国专利 :CN108998715A ,2018-12-14
[5]
一种低密度双相硅化物增强难熔高熵合金及其制备方法 [P]. 
程兴旺 ;
徐子祁 ;
谈燕 ;
马兆龙 .
中国专利 :CN113584368B ,2021-11-02
[6]
通过热变形工艺改善硅化物增强难熔高熵合金性能的方法 [P]. 
程兴旺 ;
徐子祁 ;
谈燕 ;
马兆龙 .
中国专利 :CN113403555B ,2021-09-17
[7]
一种VCrNbMoW难熔高熵合金材料及其制备方法 [P]. 
董应虎 ;
钟永录 ;
张瑞卿 ;
方俊晓 ;
孙文 ;
陈庆军 ;
叶志国 .
中国专利 :CN109628818A ,2019-04-16
[8]
一种纳米级难熔高熵合金粉末及其制备方法 [P]. 
张宝光 ;
高文彬 ;
黄愿平 ;
王建 .
中国专利 :CN118321567A ,2024-07-12
[9]
一种Laves相可控的CrxMoNbWTi难熔高熵合金及其制备方法 [P]. 
吕莎莎 ;
祖宇飞 ;
陈国清 ;
付雪松 ;
周文龙 .
中国专利 :CN114855047A ,2022-08-05
[10]
难熔高熵合金及其制备方法 [P]. 
盛艳伟 ;
胡强 ;
赵新明 ;
付东兴 ;
王永慧 ;
王志刚 ;
安宁 ;
张富文 ;
张金辉 ;
刘英杰 ;
李楠楠 .
中国专利 :CN112662929A ,2021-04-16