氮化物荧光体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710498715.8

申请日：

2017-06-26

公开(公告)号：

CN107557005B

公开(公告)日：

2018-01-09

发明(设计)人：

细川昌治仓本大树

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

C09K1179

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

朱丹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-09	公开	公开
2021-10-19	授权	授权
2019-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/79 申请日:20170626

共 50 条

[1]

氮化物荧光体的制造方法及氮化物荧光体 [P].

涌井贞一 ;

国本晃平 ;

渡边浩之 ;

金井瑛志 .

日本专利 :CN118256235A ,2024-06-28

[2]

氮化物荧光体的制造方法、及氮化物荧光体 [P].

细川昌治 ;

仓本大树 .

中国专利 :CN107880883B ,2018-04-06

[3]

氮化物荧光体的制造方法、氮化物荧光体及发光装置 [P].

涌井贞一 ;

西俣和哉 ;

细川昌治 .

中国专利 :CN109423284B ,2019-03-05

[4]

氮化物荧光体的制造方法和氮化物荧光体 [P].

渡边浩之 ;

铃木茂之 ;

细川昌治 .

中国专利 :CN111548794A ,2020-08-18

[5]

氮化物荧光体和氮化物荧光体的制造方法 [P].

小泉亮 ;

稻田悠平 ;

清原彩子 ;

井阪雅仁 ;

小室直之 ;

松田康平 .

中国专利 :CN110997869A ,2020-04-10

[6]

氮化物荧光体或氧氮化物荧光体的制造方法 [P].

后藤昌大 ;

坂根坚之 .

中国专利 :CN101522858B ,2009-09-02

[7]

氮化物荧光体的制造方法、氮化物荧光体及发光装置 [P].

涌井贞一 ;

细川昌治 .

中国专利 :CN106967424A ,2017-07-21

[8]

氮化物荧光体的制造方法和氮化物荧光体用氮化硅粉末以及氮化物荧光体 [P].

岩下和树 ;

隅野真央 ;

上田孝之 ;

藤永昌孝 ;

治田慎辅 .

中国专利 :CN105008486A ,2015-10-28

[9]

氮化物荧光体及其制造方法 [P].

高阶志保 ;

大户章裕 ;

金度勋 .

中国专利 :CN103946340A ,2014-07-23

[10]

氮化物荧光体及其制造方法 [P].

小笠裕史 ;

吉田茂希 ;

渡边浩之 .

日本专利 :CN115768853B ,2024-06-14

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