基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610072795.2

申请日：

2006-04-11

公开(公告)号：

CN101055915A

公开(公告)日：

2007-10-17

发明(设计)人：

曾中明魏红祥姜丽仙韩秀峰彭子龙詹文山

申请人：

申请人地址：

100080北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

H01L4308

IPC分类号：

G11C1116 H03K1918

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司

代理人：

高存秀

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-17	公开	公开
2007-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-15	授权	授权

共 50 条

[1]

磁性体逻辑元件及磁性体逻辑元件阵列 [P].

中村志保 ;

羽根田茂 .

中国专利 :CN100351946C ,2003-10-15

[2]

基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件 [P].

韩秀峰 ;

曾中明 ;

韩宇男 ;

姜丽仙 ;

彭子龙 ;

詹文山 .

中国专利 :CN100477316C ,2007-10-17

[3]

用于存储器和逻辑单元的磁性元件 [P].

D·E·尼科诺夫 ;

I·A·扬 .

中国专利 :CN105393306A ,2016-03-09

[4]

一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结及其用途 [P].

王琰 ;

卢仲毅 ;

张晓光 ;

韩秀峰 .

中国专利 :CN101079469A ,2007-11-28

[5]

包括嵌入式磁性隧道结的逻辑芯片 [P].

K·J·李 ;

T·加尼 ;

J·M·施泰格瓦尔德 ;

J·H·埃普尔 ;

王奕 .

中国专利 :CN108320769A ,2018-07-24

[6]

包括嵌入式磁性隧道结的逻辑芯片 [P].

K·J·李 ;

T·加尼 ;

J·M·施泰格瓦尔德 ;

J·H·埃普尔 ;

王奕 .

中国专利 :CN104995683B ,2015-10-21

[7]

包括嵌入式磁性隧道结的逻辑芯片 [P].

K·J·李 ;

T·加尼 ;

J·M·施泰格瓦尔德 ;

J·H·埃普尔 ;

王奕 .

中国专利 :CN104995684B ,2015-10-21

[8]

自旋势垒增强的双磁致电阻效应元件及使用该元件的磁性存储器 [P].

瓦莱特蒂埃里 .

中国专利 :CN101019190A ,2007-08-15

[9]

自旋势垒增强的磁致电阻效应元件以及使用这种元件的磁性存储器 [P].

瓦莱特·蒂埃里 .

中国专利 :CN1961377A ,2007-05-09

[10]

具有复合势垒结构的磁性隧道结及其制备方法 [P].

顾衍璋 ;

赵亮 ;

刘波 ;

王志明 ;

刘仲 ;

张贝 ;

骆柏锋 ;

吕前程 ;

王鹤 ;

杨豪 ;

林均怡 ;

叶震亮 ;

李政凯 ;

崔文俊 ;

雷一勇 ;

阳浩 .

中国专利 :CN120529817A ,2025-08-22

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