一种MEMS器件残余应力的测量方法及其系统

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610123474.4
申请日
2016-03-03
公开(公告)号
CN105784210A
公开(公告)日
2016-07-20
发明(设计)人
施芹 裘安萍 夏国明
申请人
申请人地址
210094 江苏省南京市孝陵卫200号
IPC主分类号
G01L110
IPC分类号
代理机构
南京理工大学专利中心 32203
代理人
唐代盛
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种MEMS器件残余应力温度特性的测量方法 [P]. 
裘安萍 ;
施芹 ;
夏国明 .
中国专利 :CN105699424A ,2016-06-22
[2]
一种结构残余应力的测量方法 [P]. 
张彦军 ;
王新波 .
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[3]
一种基于相控阵超声的残余应力测量装置及其测量方法 [P]. 
张炯 ;
肖俊峰 ;
高斯峰 ;
李永君 ;
唐文书 ;
南晴 ;
高松 .
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[4]
管道残余应力的测量方法 [P]. 
刘锴 ;
王学军 ;
戴国文 ;
侯浩 ;
王兴旺 ;
韩彬 ;
牛盛源 ;
高振华 ;
程凡菊 ;
李立英 .
中国专利 :CN115077763A ,2022-09-20
[5]
一种基于残余应力的变形轮廓测量方法 [P]. 
孙浩程 ;
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[6]
残余应力测量方法 [P]. 
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[7]
残余应力测量方法 [P]. 
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冲田圭介 ;
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[8]
残余应力测量方法和残余应力测量装置 [P]. 
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[9]
一种金属构件残余应力测量方法 [P]. 
冯琼 ;
张方 ;
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[10]
一种残余应力的测量方法和测量系统 [P]. 
刘检华 ;
宁汝新 ;
陈涛 ;
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中国专利 :CN102183458A ,2011-09-14