一种纳米多孔镍铁锰合金/氧化物复合电极及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711007255.0

申请日：

2017-10-16

公开(公告)号：

CN107863253A

公开(公告)日：

2018-03-30

发明(设计)人：

康建立张少飞张志佳于镇洋乔志军黄钦

申请人：

申请人地址：

300160 天津市西青区宾水西道延长线399号

IPC主分类号：

H01G1124

IPC分类号：

H01G1130 H01G1146 H01G1186 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 11/24 申请日:20171016
2018-03-30	公开	公开
2020-04-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01G 11/24 申请公布日:20180330

共 50 条

[1]

一种纳米多孔镍钒锰/氧化物复合电极及其制备方法 [P].

康建立 ;

王知常 ;

张志佳 ;

于镇洋 ;

乔志军 ;

黄钦 .

中国专利 :CN107887178B ,2018-04-06

[2]

一种三元纳米多孔镍钒锰氧化物电极材料及其制备方法 [P].

康建立 ;

王知常 ;

关新新 ;

张志佳 .

中国专利 :CN108807890A ,2018-11-13

[3]

自氧化纳米多孔镍钴锰/羟基氧化物复合三元电极 [P].

康建立 ;

张少飞 ;

张兴祥 ;

李建新 .

中国专利 :CN104051161A ,2014-09-17

[4]

一种自立式纳米多孔镍/氧化镍复合电极片及其制备方法 [P].

秦春玲 ;

胡庆丰 ;

赵维民 ;

王志峰 ;

王丽娟 .

中国专利 :CN104269278A ,2015-01-07

[5]

钛基底上镍锰复合氧化物纳米菱柱阵列电极及其制备方法 [P].

刘金平 ;

赵登峰 ;

解超越 .

中国专利 :CN106449158A ,2017-02-22

[6]

一种柔性纳米多孔镍/氧化镍复合电极片的制备方法 [P].

秦春玲 ;

祝江赛 ;

王志峰 ;

胡庆丰 ;

赵维民 .

中国专利 :CN105261491A ,2016-01-20

[7]

一种铁镍二元氧化物‑泡沫镍复合电极材料及其制备方法 [P].

张军 ;

穆天蕾 ;

余家国 .

中国专利 :CN107045947A ,2017-08-15

[8]

一种核壳型的氢氧化镍纳米片/锰钴氧化物复合电极材料及其制备方法 [P].

汪桂根 ;

刘益林 ;

张化宇 ;

党乐阳 .

中国专利 :CN109616331B ,2019-04-12

[9]

一种纳米多孔镍/氧化镍超级电容器电极材料及其制备方法 [P].

秦春玲 ;

祝江赛 ;

朱墨 ;

郑栋辉 ;

王志峰 ;

余晖 ;

赵维民 .

中国专利 :CN107240507A ,2017-10-10

[10]

一种表层多孔结构镍钴氧化物的非晶合金复合电极及其制备方法 [P].

王建国 ;

杨浩 ;

赵慧 ;

李维火 .

中国专利 :CN108054022A ,2018-05-18

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