半导体存储器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN03800148.9
申请日
2003-02-14
公开(公告)号
CN1498424A
公开(公告)日
2004-05-19
发明(设计)人
小川久 中冈弘明 柁谷敦宏 桥本伸 江头恭子
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
H01L218242 H01L2710
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司
代理人
张立岩
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储器件、半导体器件及其制造方法 [P]. 
岩田浩 ;
小仓孝之 ;
柴田晃秀 .
中国专利 :CN1574366A ,2005-02-02
[2]
半导体存储器件与存储器混载半导体器件、及其制造方法 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN101933135A ,2010-12-29
[3]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
金承焕 .
中国专利 :CN115472608A ,2022-12-13
[4]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
平野有一 ;
一法师隆志 ;
前川繁登 ;
新居浩二 .
中国专利 :CN101202292A ,2008-06-18
[5]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
神田昌彦 .
中国专利 :CN1395306A ,2003-02-05
[6]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
山口宪 ;
木村绅一郎 ;
堀内胜忠 ;
手嶋达也 .
中国专利 :CN1137518C ,1999-05-19
[7]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
平野有一 ;
一法师隆志 ;
前川繁登 ;
新居浩二 .
中国专利 :CN101202249A ,2008-06-18
[8]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
朴根亨 .
中国专利 :CN1163966C ,1997-04-16
[9]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
莲沼英司 .
中国专利 :CN1992279A ,2007-07-04
[10]
半导体存储器件及其制造方法 [P]. 
平野有一 ;
一法师隆志 ;
前川繁登 ;
新居浩二 .
中国专利 :CN101335270A ,2008-12-31