制造具有氧化硅/氮化硅/氧化硅层的半导体组件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03130644.6

申请日：

2003-05-06

公开(公告)号：

CN1467799A

公开(公告)日：

2004-01-14

发明(设计)人：

陈政顺

申请人：

申请人地址：

中国台湾

IPC主分类号：

H01L21314

IPC分类号：

H01L21283 H01L218239

代理机构：

北京中原华和专利代理有限责任公司

代理人：

寿宁;张华辉

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/314 申请日:20030506 授权公告日:20060405 终止日期:20190506
2004-08-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-01-14	公开	公开
2006-04-05	授权	授权

共 50 条

[1]

定义氧化硅/氮化硅/氧化硅介电层的方法 [P].

施学浩 ;

陈光钊 .

中国专利 :CN1485890A ,2004-03-31

[2]

基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅组件的制造方法 [P].

叶彦宏 ;

范左鸿 ;

刘慕义 ;

詹光阳 ;

卢道政 .

中国专利 :CN1419280A ,2003-05-21

[3]

测量氧化硅层－氮化硅层－氧化硅层电学厚度的方法 [P].

范建国 ;

郭慧 ;

战玉讯 .

中国专利 :CN101192553A ,2008-06-04

[4]

超薄氮化硅/氧化硅栅极介电层的制造方法 [P].

陈启群 ;

李资良 ;

陈世昌 .

中国专利 :CN1195317C ,2003-12-31

[5]

SONOS中氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层的制造方法 [P].

杨欣 ;

孙勤 .

中国专利 :CN101930914A ,2010-12-29

[6]

在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法 [P].

傅焕松 ;

谢永明 ;

罗仕洲 .

中国专利 :CN1431688A ,2003-07-23

[7]

去除缺陷膜层及形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法 [P].

范建国 ;

郭军 ;

季峰强 ;

俞新波 .

中国专利 :CN101393864A ,2009-03-25

[8]

氧化硅氮化硅叠层离子辅助蚀刻 [P].

谭忠魁 ;

向华 ;

胡文兵 ;

徐晴 ;

傅乾 .

美国专利 :CN120015621A ,2025-05-16

[9]

氧化硅氮化硅叠层离子辅助蚀刻 [P].

谭忠魁 ;

向华 ;

胡文兵 ;

徐晴 ;

傅乾 .

中国专利 :CN109983563A ,2019-07-05

[10]

图案化氧化硅-氮化硅-氧化硅堆叠的方法及其形成结构 [P].

王怡人 ;

谢元智 .

中国专利 :CN112992671A ,2021-06-18

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