回收制备太阳能级硅材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410166001.3

申请日：

2014-04-23

公开(公告)号：

CN103922344A

公开(公告)日：

2014-07-16

发明(设计)人：

赵丽丽吕铁铮卢乔宋爱利单宇

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

C01B33037

IPC分类号：

代理机构：

哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210

代理人：

王艳萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-16	公开	公开
2016-03-09	授权	授权
2014-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584396067 IPC(主分类):C01B 33/037 专利申请号:2014101660013 申请日:20140423

共 50 条

[1]

制备太阳能级硅的方法 [P].

T·F·麦努尔蒂 ;

M·P·德埃夫林 ;

J·T·莱曼 ;

R·舒巴 .

中国专利 :CN101239722A ,2008-08-13

[2]

太阳能级硅的制备方法 [P].

哈山恩·塔沙格 .

中国专利 :CN102333726B ,2012-01-25

[3]

太阳能级硅的制备方法 [P].

吴展平 ;

杜相华 ;

杨晗辉 .

中国专利 :CN101085678B ,2007-12-12

[4]

太阳能级硅晶体的制备及提纯方法 [P].

李乔 ;

马远 .

中国专利 :CN101545135A ,2009-09-30

[5]

一种太阳能级硅的生产原料和太阳能级硅的制备方法 [P].

彭少波 ;

白琳 .

中国专利 :CN111348651A ,2020-06-30

[6]

太阳能级硅的提纯方法 [P].

常玉 ;

陈红雨 .

中国专利 :CN101774584B ,2010-07-14

[7]

一种太阳能级硅的制备方法 [P].

吴展平 .

中国专利 :CN101357765A ,2009-02-04

[8]

一种太阳能级多晶硅材料的制备方法 [P].

刘占果 ;

周勇 ;

刘军锋 .

中国专利 :CN101724898B ,2010-06-09

[9]

一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备 [P].

吕佩文 ;

黄丰 ;

董建平 ;

颜峰岥 ;

林璋 ;

黄嘉魁 ;

黄顺乐 .

中国专利 :CN102674366A ,2012-09-19

[10]

一种回收硅切削废料制备太阳能级多晶硅的方法 [P].

杨振国 ;

杨超 ;

顾云松 ;

俞宏坤 ;

孙江燕 .

中国专利 :CN102815704A ,2012-12-12

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