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碳化硅空间形体及形成球状体的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201880035616.9
申请日：
2018-03-28
公开(公告)号：
CN111065614A
公开(公告)日：
2020-04-24
发明(设计)人：
道格拉斯·杜克斯 格伦·桑德格林 安德鲁·R·霍普金斯 伊莎贝尔·伯林汉姆 马克·S·兰德
申请人：
申请人地址：
美国德克萨斯州休斯顿（77072）
IPC主分类号：
C04B35515
IPC分类号：
C04B3564 C08G7720
代理机构：
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人：
郝传鑫
法律状态：
著录事项变更
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-06-01 著录事项变更 著录事项变更 IPC(主分类):C04B 35/515 变更事项:申请人 变更前:帕里杜斯有限公司 变更后:帕里杜斯有限公司 变更事项:地址 变更前:美国德克萨斯州休斯顿（77072） 变更后:美国纽约州奥尔巴尼
2020-04-24 公开 公开
2020-05-19 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/515 申请日:20180328
共 50 条
[1]
碳化硅空间形体及形成球状体的方法 [P]. 
道格拉斯·杜克斯 ;
格伦·桑德格林 ;
安德鲁·R.·霍普金斯 ;
伊莎贝尔·伯林汉姆 ;
马克·S.·兰德 .
中国专利 :CN115594508A ,2023-01-13
[2]
碳化硅的制造方法及碳化硅 [P]. 
星亮二 ;
松本克 ;
青木良隆 ;
松井智波 .
中国专利 :CN105008278A ,2015-10-28
[3]
碳化硅LDMOS结构的形成方法、碳化硅LDMOS结构及碳化硅LDMOS器件 [P]. 
黄海涛 ;
张永熙 ;
陈伟 ;
仲雪倩 ;
陈思哲 .
中国专利 :CN119277803A ,2025-01-07
[4]
碳化硅成形体的制造方法 [P]. 
青木　良隆 .
中国专利 :CN102548931A ,2012-07-04
[5]
球状体评价方法以及球状体评价装置 [P]. 
津村治郎 .
中国专利 :CN106133503B ,2016-11-16
[6]
碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法 [P]. 
E·菲尔古特 ;
R·K·约希 ;
R·西米尼克 ;
T·巴斯勒 ;
M·格鲁贝尔 ;
J·希尔森贝克 ;
D·彼得斯 ;
R·鲁普 ;
W·肖尔茨 .
德国专利 :CN120390431A ,2025-07-29
[7]
碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法 [P]. 
E.菲尔古特 ;
R.K.约希 ;
R.西米尼克 ;
T.巴斯勒 ;
M.格鲁贝尔 ;
J.希尔森贝克 ;
D.彼得斯 ;
R.鲁普 ;
W.肖尔茨 .
德国专利 :CN110676322B ,2025-05-30
[8]
碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法 [P]. 
H-J.舒尔策 ;
T.巴斯勒 ;
A.R.施特格纳 .
中国专利 :CN110931562A ,2020-03-27
[9]
碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法 [P]. 
R·拉普 ;
C·黑希特 ;
J·康拉斯 ;
W·伯格纳 ;
H-J·舒尔策 ;
R·埃尔佩尔特 .
中国专利 :CN107658216A ,2018-02-02
[10]
碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法 [P]. 
R·拉普 ;
C·黑希特 ;
J·康拉斯 ;
W·伯格纳 ;
H-J·舒尔策 ;
R·埃尔佩尔特 .
中国专利 :CN104078514A ,2014-10-01
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