硅压力/差压变送器耐单向过载及工作压力结构

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专利类型
实用新型
申请号
CN201320342389.9
申请日
2013-05-31
公开(公告)号
CN203287144U
公开(公告)日
2013-11-13
发明(设计)人
张惠益 周永宏 邹崇
申请人
申请人地址
350015 福建省福州市马尾科技园区快安大道15号地
IPC主分类号
G01L906
IPC分类号
G01L1306
代理机构
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共 50 条
[1]
硅压力/差压变送器耐单向过载及工作压力结构 [P]. 
张惠益 ;
周永宏 ;
邹崇 .
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[2]
一种保护压力/差压变送器的耐高过载结构 [P]. 
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[3]
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[4]
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[5]
一种新型的压力/差压变送器耐高过载压力装置 [P]. 
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[6]
能耐高单向过载压力的差压变送器 [P]. 
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[7]
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[8]
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[9]
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[10]
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