一种正交相二维层状SiP2单晶薄膜及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510925773.5

申请日：

2015-12-11

公开(公告)号：

CN105506742A

公开(公告)日：

2016-04-20

发明(设计)人：

王善朋陶绪堂张翔李春龙

申请人：

申请人地址：

250199 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

C30B2946

IPC分类号：

C30B2964 C30B910

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

王绪银

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/46 申请公布日:20160420
2016-04-20	公开	公开
2016-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101660904630 IPC(主分类):C30B 29/46 专利申请号:2015109257735 申请日:20151211

共 50 条

[1]

正交相二维层状SiP单晶及薄膜的制备方法及其应用 [P].

王善朋 ;

陶绪堂 ;

李春龙 ;

于童童 .

中国专利 :CN106119960A ,2016-11-16

[2]

二维层状GeP单晶纳米薄膜的制备方法及应用 [P].

王善朋 ;

陶绪堂 ;

于童童 ;

赵淑琪 ;

张百涛 ;

何京良 .

中国专利 :CN110424054A ,2019-11-08

[3]

制备范德华二维层状单晶的方法 [P].

李泽方 ;

郗学奎 ;

王文洪 .

中国专利 :CN112779597B ,2021-05-11

[4]

二维层状纳米片及其制备方法和应用 [P].

张培新 ;

杨明 ;

马定涛 ;

王艳宜 .

中国专利 :CN114314528A ,2022-04-12

[5]

一种正交相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法 [P].

马啸尘 .

中国专利 :CN114108087A ,2022-03-01

[6]

一种二维层状响应膜及其制备方法和应用 [P].

肖丹 ;

郑梦婷 ;

杨学敏 ;

李建波 .

中国专利 :CN114291822A ,2022-04-08

[7]

一种二维层状材料及其制备方法和应用 [P].

丘陵 ;

刘闽苏 ;

成会明 ;

范维仁 ;

丁斯远 .

中国专利 :CN113264510A ,2021-08-17

[8]

一种层状二维薄片的制备 [P].

任召辉 ;

夏瑞浩 ;

韩高荣 .

中国专利 :CN117923505A ,2024-04-26

[9]

一种基于二维碲纳米晶体制备二维超导PtTe2及其制备方法和应用 [P].

王一休 ;

杨青 ;

李凌 ;

张亮 ;

付翔 .

中国专利 :CN114735661A ,2022-07-12

[10]

一种大尺寸非层状二维硫化镉薄膜及其制备方法和应用 [P].

魏丛 ;

袁江博 ;

刘佳晖 ;

李美萱 ;

许群 .

中国专利 :CN116573666B ,2025-06-17

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