半导体结构及其制备方法、三维存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111283313.9

申请日：

2021-11-01

公开(公告)号：

CN114121997A

公开(公告)日：

2022-03-01

发明(设计)人：

刘佳裔高庭庭孙昌志杜小龙刘小欣夏志良

申请人：

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H01L2711582

IPC分类号：

H01L271157 H01L2711556 H01L2711524

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人：

申健

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-01	公开	公开
2022-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11582 申请日:20211101

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

刘佳裔 ;

高庭庭 ;

孙昌志 ;

杜小龙 ;

刘小欣 ;

夏志良 .

中国专利 :CN114121997B ,2025-10-31

[2]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

刘文静 ;

袁伟 ;

刘磊 .

中国专利 :CN114678376A ,2022-06-28

[3]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

吴建中 ;

刘隆冬 ;

肖梦 ;

长江 .

中国专利 :CN114551342A ,2022-05-27

[4]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

范冬宇 ;

李文琦 ;

杨远程 ;

周文犀 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN115346991A ,2022-11-15

[5]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

吴林春 ;

张坤 ;

周文犀 .

中国专利 :CN114023751A ,2022-02-08

[6]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

张庆福 ;

顾妍 ;

王迪 .

中国专利 :CN114678369A ,2022-06-28

[7]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

吴双双 ;

刘志斌 ;

张中 ;

王迪 .

中国专利 :CN119923961A ,2025-05-02

[8]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

李思晢 ;

徐前兵 ;

赵婷婷 ;

陆聪 ;

高晶 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN114664839A ,2022-06-24

[9]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

刘沙沙 ;

毛晓明 ;

李思晢 ;

黄文龙 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN114361170B ,2025-12-05

[10]

半导体结构及其制备方法、三维存储器 [P].

王均保 ;

李楷威 ;

王鹤林 ;

贾建权 ;

游开开 ;

崔佳萌 ;

张安 .

中国专利 :CN114497061A ,2022-05-13

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