W/TiNi记忆合金复合材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110385005.7

申请日：

2011-11-28

公开(公告)号：

CN103131926A

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

崔立山王珊姜江姜大强郭方敏李瑞士郑雁军

申请人：

申请人地址：

102249 北京市昌平区府学路18号

IPC主分类号：

C22C3000

IPC分类号：

C22C1903 C22C103 B23P1500

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

丁香兰;韩蕾

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486724865 IPC(主分类):C22C 30/00 专利申请号:2011103850057 申请日:20111128
2015-10-28	授权	授权
2018-11-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C22C 30/00 申请日:20111128 授权公告日:20151028 终止日期:20171128
2013-06-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种W/TiNi记忆合金复合材料及其制备方法 [P].

崔立山 ;

邵阳 ;

郝玉庭 ;

姜大强 ;

蒋小华 ;

焦淑静 .

中国专利 :CN106756377A ,2017-05-31

[2]

一种NbTi/TiNi记忆合金复合材料及其制备方法 [P].

崔立山 ;

姜大强 ;

姜江 ;

郝世杰 ;

刘明 ;

于存 ;

王珊 ;

郑雁军 .

中国专利 :CN101805843A ,2010-08-18

[3]

TiNiNb/NbTi记忆合金复合材料及其制备方法 [P].

姜大强 ;

崔立山 ;

郑雁军 ;

赵新青 ;

李岩 ;

蒋小华 .

中国专利 :CN101654753B ,2010-02-24

[4]

一种Ti5Si3/TiNi记忆合金复合材料的制备方法 [P].

姜大强 ;

陈岩 ;

崔立山 ;

郝世杰 ;

茹亚东 ;

蒋小华 .

中国专利 :CN102653830B ,2012-09-05

[5]

形状记忆复合材料及其制备方法 [P].

刘宇艳 ;

万志敏 ;

谭惠丰 ;

杜星文 .

中国专利 :CN101186742B ,2008-05-28

[6]

一种记忆合金基纳米层状复合材料及其制备方法 [P].

毛圣成 ;

蔡吉祥 ;

韩晓东 ;

张泽 .

中国专利 :CN109706415A ,2019-05-03

[7]

NiMnGa磁性记忆合金与环氧树脂复合材料及制备方法 [P].

郑玉峰 ;

李莉 ;

陈枫 ;

田兵 .

中国专利 :CN101724224A ,2010-06-09

[8]

形状记忆微孔复合材料及其制备方法 [P].

陈淑海 ;

王丹 ;

肖培栋 ;

刘凯良 ;

宋小娜 .

中国专利 :CN110885539A ,2020-03-17

[9]

具有近零膨胀特性的TiNi合金基复合材料及其制备方法 [P].

张新平 ;

关锐峰 ;

马骁 ;

罗军平 .

中国专利 :CN102534275A ,2012-07-04

[10]

一种增强TiNi层状复合材料及其制备方法 [P].

王玉山 ;

张兵 ;

张东 ;

刘世和 ;

陈兴纲 ;

李芬霞 ;

卢苏君 ;

陈国举 ;

孙渊君 .

中国专利 :CN110293717B ,2019-10-01

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