半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010317069.2

申请日：

2020-04-21

公开(公告)号：

CN113540228A

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

周钰杰林琮翔

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学园区

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王涛;汤在彦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20200421
2021-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体基板、半导体装置、及半导体装置的制造方法 [P].

竹中充 ;

高木信一 ;

秦雅彦 ;

市川磨 .

中国专利 :CN101960605A ,2011-01-26

[2]

半导体装置 [P].

平田直文 ;

蔵口友美 ;

植木伸一 ;

堀阳一 ;

谷平圭 .

日本专利 :CN115084279B ,2025-05-23

[3]

半导体装置 [P].

新垣实 ;

广畑彻 ;

中嶋和利 ;

菅博文 .

中国专利 :CN101192642A ,2008-06-04

[4]

半导体装置 [P].

华特·吴 ;

林鑫成 ;

黄嘉庆 .

中国专利 :CN116344576B ,2025-10-31

[5]

半导体装置 [P].

杉原浩平 ;

太田和伸 ;

尾田秀一 ;

林岳 .

中国专利 :CN1574279A ,2005-02-02

[6]

半导体装置 [P].

平田直文 ;

蔵口友美 ;

植木伸一 ;

堀阳一 ;

谷平圭 .

中国专利 :CN115084279A ,2022-09-20

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

长井雅嗣 ;

佐藤慎吾 .

日本专利 :CN118588751A ,2024-09-03

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

佐泽洋幸 ;

西川直宏 ;

栗田靖之 ;

秦雅彦 .

中国专利 :CN101971307A ,2011-02-09

[9]

光学半导体装置 [P].

仓本大 ;

风田川统之 ;

滨口达史 ;

泉将一郎 .

中国专利 :CN107112722A ,2017-08-29

[10]

半导体装置及其形成方法 [P].

周政伟 ;

吴修铭 .

中国专利 :CN114496787A ,2022-05-13

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