薄膜型气敏元件的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201310488778.7
申请日
2013-10-17
公开(公告)号
CN103529080A
公开(公告)日
2014-01-22
发明(设计)人
张磊 焦万丽
申请人
申请人地址
255086 山东省淄博市高新技术产业开发区高创园D座1012室
IPC主分类号
G01N2700
IPC分类号
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共 50 条
[1]
气敏元件的制备方法 [P]. 
王维熙 ;
王维平 .
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[2]
检测氢气的气敏元件制备方法 [P]. 
刘天模 ;
甘浩宇 ;
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[3]
用于丙酮气敏元件的厚膜材料、制备方法及丙酮气敏元件 [P]. 
曹冠龙 ;
李铁 ;
张玉龙 ;
翁晓云 .
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[4]
低功耗纳米气敏元件的制备方法 [P]. 
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刘雅言 ;
何敬文 .
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[5]
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杜海英 ;
孙炎辉 ;
王述刚 .
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[6]
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段国韬 ;
刘强 ;
苏星松 ;
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[7]
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[8]
一种薄膜型气敏元件 [P]. 
李杰 .
中国专利 :CN204330662U ,2015-05-13
[9]
纳米结构有序多孔薄膜型气敏元件及其制备方法 [P]. 
孙丰强 ;
蔡伟平 ;
贾丽超 ;
曹丙强 ;
李越 .
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[10]
SnO2气敏材料制备方法及半导体气敏元件的测试方法 [P]. 
杜海英 ;
孙炎辉 ;
王述刚 .
中国专利 :CN107807152A ,2018-03-16