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一种高功率半导体激光器
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201720520656.5
申请日：
2017-05-11
公开(公告)号：
CN206742655U
公开(公告)日：
2017-12-12
发明(设计)人：
刘保霞
申请人：
申请人地址：
065201 河北省廊坊市三河市燕郊开发区迎宾北路西侧、孤山西路北侧百世金谷燕郊产业基地
IPC主分类号：
H01S5024
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2017-12-12 | 授权 | 授权 |