半导体器件金属连线的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011477780.0
申请日
2020-12-15
公开(公告)号
CN112582339A
公开(公告)日
2021-03-30
发明(设计)人
吴佳宏
申请人
申请人地址
201210 上海市浦东新区张江高斯路497号
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
代理机构
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275
代理人
吴世华;陈慧弘
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体器件金属连线的制造方法 [P]. 
吴佳宏 .
中国专利 :CN112582339B ,2024-12-06
[2]
金属连线结构的制备方法及半导体器件 [P]. 
程继 .
中国专利 :CN116314008B ,2025-08-12
[3]
半导体器件的制造方法 [P]. 
张海洋 ;
钟伯琛 .
中国专利 :CN110571194B ,2019-12-13
[4]
半导体器件的制造方法 [P]. 
张文广 ;
郑春生 .
中国专利 :CN104217944A ,2014-12-17
[5]
半导体器件的制造方法 [P]. 
刘焕新 .
中国专利 :CN101393892B ,2009-03-25
[6]
半导体器件的制造方法 [P]. 
张文广 ;
郑春生 .
中国专利 :CN104269380A ,2015-01-07
[7]
金属互连线的制造方法及半导体器件 [P]. 
陈亚威 ;
简志宏 .
中国专利 :CN119340271A ,2025-01-21
[8]
半导体器件中互连层和接触孔层的形成方法 [P]. 
张文广 ;
朱建军 .
中国专利 :CN112599473A ,2021-04-02
[9]
半导体器件中互连层和接触孔层的形成方法 [P]. 
张文广 ;
朱建军 .
中国专利 :CN112599473B ,2024-12-13
[10]
半导体器件金属连接孔的制造方法和半导体器件 [P]. 
马擎天 ;
韩秋华 .
中国专利 :CN100517644C ,2008-06-25