晶体生长装置和晶体生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110952925.6

申请日：

2021-08-19

公开(公告)号：

CN113652751B

公开(公告)日：

2021-11-16

发明(设计)人：

彭程张洁廖弘基陈华荣

申请人：

申请人地址：

362200 福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

刘曾

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20210819
2022-04-19	授权	授权
2022-06-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 29/36 登记生效日:20220523 变更事项:专利权人变更前权利人:福建北电新材料科技有限公司变更后权利人:湖南三安半导体有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:362200 福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦变更后权利人:410000 湖南省长沙市长沙高新开发区长兴路399号
2021-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法 [P].

王睿仑 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

杨树 .

中国专利 :CN113622016B ,2021-11-09

[2]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

赵青松 ;

牛晓东 ;

顾小英 ;

胡智向 .

中国专利 :CN112725890A ,2021-04-30

[3]

晶体生长方法及晶体生长装置 [P].

郑燕青 ;

齐凡 ;

孔舒燕 ;

陈志平 ;

赵衡煜 .

中国专利 :CN119121382B ,2025-11-14

[4]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN112746315A ,2021-05-04

[5]

晶体生长方法及晶体生长装置 [P].

郑燕青 ;

齐凡 ;

孔舒燕 ;

陈志平 ;

赵衡煜 .

中国专利 :CN119121382A ,2024-12-13

[6]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

堀冈佑吉 .

中国专利 :CN102187018A ,2011-09-14

[7]

一种晶体生长装置和晶体生长方法 [P].

王苗 ;

贾宁波 ;

杨梅 ;

贺琪 ;

张雯 ;

高璐 ;

秦川 ;

张辉 ;

介万奇 ;

席守智 .

中国专利 :CN121228342A ,2025-12-30

[8]

晶体生长方法 [P].

颛孙梦林 ;

汪晨 ;

张华利 ;

王新 ;

马俊杰 ;

耿浩浩 ;

陈宗霆 ;

周声浪 ;

周洁 .

中国专利 :CN119753818A ,2025-04-04

[9]

过滤-导流模组、晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

张武广 .

中国专利 :CN120485954A ,2025-08-15

[10]

晶体生长容器及晶体生长方法 [P].

羽木良明 ;

加藤重人 .

中国专利 :CN1284573A ,2001-02-21

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