一种聚偏氟乙烯基钛酸锶钡纳米复合材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011359699.2

申请日：

2020-11-27

公开(公告)号：

CN112457611A

公开(公告)日：

2021-03-09

发明(设计)人：

王卓易志辉孔梦蕾李妍欣王佳

申请人：

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央区大学园

IPC主分类号：

C08L2716

IPC分类号：

C08K324 C01G2300 B82Y4000 B82Y3000 C08J518 C08J700

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

张海平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08L 27/16 申请日:20201127
2021-03-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种钛酸锶钡多孔陶瓷/聚偏氟乙烯复合材料及制备方法 [P].

高峰 ;

赵佳 ;

郭艺婷 ;

许杰 ;

孟轩宇 ;

刘书航 ;

吴思晨 .

中国专利 :CN113201195B ,2021-08-03

[2]

一种巨介电常数聚偏氟乙烯基纳米复合材料及其制备方法 [P].

尚淑英 ;

蒋博博 ;

刘文金 ;

杜云霄 ;

宋建楠 .

中国专利 :CN106032424B ,2016-10-19

[3]

聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法 [P].

迟庆国 ;

马涛 ;

高亮 ;

刘刚 ;

王暄 ;

雷清泉 .

中国专利 :CN104985738A ,2015-10-21

[4]

一种聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法、应用 [P].

王基翔 ;

李政龙 ;

王琳 ;

范潮海 ;

林晶晶 ;

潘婷 ;

杨云兰 ;

尹长华 .

中国专利 :CN121064582A ,2025-12-05

[5]

一种高介电的硅氧烷接枝的钛酸锶钡/聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法 [P].

许义彬 .

中国专利 :CN107099106A ,2017-08-29

[6]

一种基于聚偏氟乙烯基纳米复合介电材料及其制备方法 [P].

井光辉 ;

林辉阳 ;

陈龙灿 ;

王鸿毅 ;

张永刚 .

中国专利 :CN120590728A ,2025-09-05

[7]

一种基于聚偏氟乙烯基纳米复合介电材料及其制备方法 [P].

井光辉 ;

林辉阳 ;

陈龙灿 ;

王鸿毅 ;

张永刚 .

中国专利 :CN120590728B ,2025-11-11

[8]

聚偏氟乙烯纳米复合材料及其制备方法与应用 [P].

关丽 ;

郝建宇 ;

张美宁 ;

裘晓辉 .

中国专利 :CN106607012A ,2017-05-03

[9]

一种高储能密度的交联聚偏氟乙烯基纳米复合材料及其制备方法、应用 [P].

张雪峰 ;

陈迎鑫 .

中国专利 :CN112391017A ,2021-02-23

[10]

一种钛酸锶钡-聚偏氟乙烯共聚物铁电材料及其制法 [P].

王志越 .

中国专利 :CN112029213A ,2020-12-04

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