刷新控制电路、半导体存储器件及其刷新方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811531369.X

申请日：

2018-12-14

公开(公告)号：

CN110246535B

公开(公告)日：

2019-09-17

发明(设计)人：

金度鸿

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G06F1202

IPC分类号：

G11C2900

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

许伟群;郭放

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-17	公开	公开
2019-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/00 申请日:20181214
2022-12-30	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体存储器件及其刷新方法 [P].

砂永登志男 ;

宫武久忠 ;

细川浩二 .

中国专利 :CN1871663A ,2006-11-29

[2]

刷新控制电路和包括刷新控制电路的半导体存储器件 [P].

李荣燮 .

中国专利 :CN103680593A ,2014-03-26

[3]

刷新控制电路、刷新方法及存储器 [P].

周润发 .

中国专利 :CN118335135A ,2024-07-12

[4]

刷新方法和使用刷新方法的半导体存储器件 [P].

金根国 .

中国专利 :CN103426462B ,2013-12-04

[5]

刷新操作控制电路、半导体存储器件和刷新操作控制方法 [P].

权奇昌 .

中国专利 :CN102467957A ,2012-05-23

[6]

半导体存储器件的刷新控制电路和方法 [P].

沈荣辅 .

中国专利 :CN102655022B ,2012-09-05

[7]

半导体存储器件、存储器系统及其刷新方法 [P].

张敏洙 ;

徐恩圣 ;

裴升浚 .

中国专利 :CN109754832A ,2019-05-14

[8]

半导体存储器的刷新方法、刷新控制电路及半导体存储器 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107481752A ,2017-12-15

[9]

刷新电路、刷新方法及半导体存储器 [P].

陈继兴 .

中国专利 :CN115995246B ,2025-07-25

[10]

用于半导体存储器件的刷新控制电路及方法 [P].

沈荣辅 .

中国专利 :CN102655023A ,2012-09-05

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