基于过渡金属碳化物的忆阻器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910129396.2

申请日：

2019-02-21

公开(公告)号：

CN109962162A

公开(公告)日：

2019-07-02

发明(设计)人：

童祎高斐渠开放沈心怡郭宇锋万相连晓娟

申请人：

申请人地址：

210003 江苏省南京市新模范马路66号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

南京苏科专利代理有限责任公司 32102

代理人：

张霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20190221
2022-09-23	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 45/00 申请公布日:20190702
2019-07-02	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于过渡金属碳化物的热感应忆阻器及其制备方法 [P].

王宇 ;

赵义泽 ;

申达琦 ;

陈欣彤 ;

周律洋 ;

童祎 .

中国专利 :CN112271252A ,2021-01-26

[2]

过渡金属碳化物材料的制备方法 [P].

李轩科 ;

董志军 ;

袁观明 .

中国专利 :CN1308232C ,2006-03-29

[3]

基于忆阻器件过渡金属氧化物的碱性掺杂的忆阻器件 [P].

T·S·格申 ;

K·W·布鲁 ;

S·辛格 ;

D·纽恩斯 .

中国专利 :CN110168761A ,2019-08-23

[4]

一种过渡金属碳化物的制备方法 [P].

邓启煌 ;

邱双 .

中国专利 :CN109231208B ,2019-01-18

[5]

沉积过渡金属碳化物的方法和系统 [P].

T·哈坦帕 ;

P·鲁伊兹耶卡克凯宁 ;

M·瑞塔拉 ;

A·维赫瓦拉 ;

M·普特科宁 .

:CN118497705A ,2024-08-16

[6]

一种基于过渡金属碳化物的负极材料及其制备方法 [P].

朱才镇 ;

赵昱 ;

辛海林 ;

杨波 ;

海洋 ;

邱昭政 ;

李鹏翀 ;

徐坚 .

中国专利 :CN107623114A ,2018-01-23

[7]

具有纳米孔结构的过渡金属碳化物陶瓷及其制备方法 [P].

薛佳祥 ;

张国军 ;

刘海涛 ;

徐常明 .

中国专利 :CN103073332B ,2013-05-01

[8]

用部分还原的过渡金属化合物制备过渡金属碳化物的方法 [P].

S·D·邓米德 ;

H·A·巴克 ;

J·P·亨利 ;

P·J·德卢卡 ;

T·J·邦内尔 ;

J·F·里普曼 ;

D·F·卡洛尔 ;

S·A·安德森 .

中国专利 :CN1247520A ,2000-03-15

[9]

基于层状过渡金属碳化物的荧光碳纳米颗粒的制备方法 [P].

周立 ;

吴方明 ;

吴佳 .

中国专利 :CN106281319A ,2017-01-04

[10]

一种过渡金属碳化物粉末和过渡金属碳化物-氮化物复合粉末的制备工艺 [P].

刘少存 ;

向建勇 ;

柳忠元 ;

廖娟秀 .

中国专利 :CN108975339B ,2018-12-11

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