一种钛酸锶钡修饰二氧化钛薄膜氢气传感器的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610864969.2
申请日
2016-09-29
公开(公告)号
CN106525914B
公开(公告)日
2017-03-22
发明(设计)人
夏晓红 邓梦杰 高云 黄忠兵 王卓
申请人
申请人地址
430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
IPC主分类号
G01N2712
IPC分类号
代理机构
武汉河山金堂专利事务所(普通合伙) 42212
代理人
丁齐旭
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
二氧化钛薄膜氢气传感器及其制备方法 [P]. 
高云 ;
吴文希 ;
夏晓红 .
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[2]
表面修饰二氧化钛薄膜气体传感器及其制备方法 [P]. 
姚正军 ;
孙琳超 ;
爱资哈阿里海德里 ;
李中 .
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[3]
一种DNA修饰的二氧化钛薄膜传感器及其制备方法与应用 [P]. 
夏帆 ;
马群 ;
刘洋 ;
王依隆 ;
段振坤 ;
程锦坤 ;
项敬宝 ;
王永钱 .
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[4]
二氧化钛薄膜的制备方法 [P]. 
冯威 ;
王晓峰 ;
朱晓东 ;
王清远 ;
罗建军 ;
付朝坤 ;
孙艳 ;
孔清泉 ;
王小炼 ;
孙丰云 ;
何喜 ;
黄林 ;
安旭光 ;
杨旭林 ;
卢超 ;
宋薇薇 ;
姜为 ;
李黎 ;
陈渝 ;
吴节节 ;
冯再 ;
赵虔 ;
马娟 ;
董志红 ;
钱扬顺 .
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[5]
二氧化钛薄膜的制备方法 [P]. 
胡瑞楷 ;
陈宏昌 ;
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[6]
二氧化钛薄膜的制备方法 [P]. 
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吕旭杰 ;
吴建军 .
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[7]
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[8]
聚苯胺/二氧化钛薄膜QCM气敏传感器及其制备方法 [P]. 
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[9]
基于复合二氧化钛纳米管的氢气传感器制备方法 [P]. 
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