半导体存储器

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201821449201.X
申请日
2018-09-05
公开(公告)号
CN208655642U
公开(公告)日
2019-03-26
发明(设计)人
朱梦娜
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L27105
IPC分类号
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
智云
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储器及其形成方法 [P]. 
朱梦娜 .
中国专利 :CN110880507A ,2020-03-13
[2]
半导体存储器及其形成方法 [P]. 
朱梦娜 .
中国专利 :CN110880507B ,2024-07-09
[3]
半导体存储器 [P]. 
吴小飞 .
中国专利 :CN208111443U ,2018-11-16
[4]
半导体存储器 [P]. 
石仓聪 ;
里见胜治 .
中国专利 :CN1324712C ,2004-10-13
[5]
半导体存储器 [P]. 
冀康灵 ;
尚为兵 .
中国专利 :CN208922741U ,2019-05-31
[6]
半导体存储器 [P]. 
大林茂树 .
中国专利 :CN1187833C ,2002-08-28
[7]
半导体存储器 [P]. 
寗树梁 .
中国专利 :CN113470710B ,2024-03-26
[8]
半导体存储器 [P]. 
寗树梁 .
中国专利 :CN113470710A ,2021-10-01
[9]
半导体存储器 [P]. 
冈田义纪 .
中国专利 :CN1467849A ,2004-01-14
[10]
半导体存储器 [P]. 
黑木孝一 .
中国专利 :CN1127766C ,1999-05-19