一种大晶粒钙钛矿薄膜忆阻器存储单元的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110430293.7

申请日：

2021-04-21

公开(公告)号：

CN113948633A

公开(公告)日：

2022-01-18

发明(设计)人：

张树芳刘岐常昊贾祥瑞王晨璐杨露露焦蒙蒙

申请人：

申请人地址：

264000 山东省烟台市芝罘区世回尧街道红旗中路186号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

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法律状态：

公开

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-18	公开	公开
2022-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20210421

共 50 条

[1]

一种大晶粒钙钛矿薄膜忆阻器存储单元的制备方法 [P].

苗晓亮 ;

胡延强 ;

张陈明 ;

邱婷 ;

白帆 ;

张树芳 .

中国专利 :CN106058049A ,2016-10-26

[2]

一种大晶粒钙钛矿薄膜的制备方法 [P].

王世荣 ;

蔡颖 ;

李祥高 ;

肖殷 .

中国专利 :CN108054284A ,2018-05-18

[3]

一种无铅钙钛矿薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

杨威 ;

邵赫 ;

凌海峰 ;

明建宇 ;

庄静文 ;

解令海 ;

黄维 .

中国专利 :CN115084367A ,2022-09-20

[4]

一种低温制备大晶粒钙钛矿薄膜的方法 [P].

张青红 ;

张歆 ;

李耀刚 ;

王宏志 ;

侯成义 .

中国专利 :CN109494305A ,2019-03-19

[5]

大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法 [P].

韦进全 ;

李雅慧 ;

赵振昊 ;

林峰 ;

丁孔贤 ;

孙永明 ;

崔贤 .

中国专利 :CN108242505B ,2018-07-03

[6]

一种钙钛矿忆阻器导电细丝有序形成的方法及钙钛矿忆阻器 [P].

王权 ;

周晓辰 .

中国专利 :CN121194688A ,2025-12-23

[7]

一种大晶粒碘化物钙钛矿薄膜的制备方法 [P].

白帆 ;

张树芳 ;

苗晓亮 ;

邱婷 ;

胡延强 ;

严仲 .

中国专利 :CN107046098A ,2017-08-15

[8]

一种钙钛矿忆阻器及其制备方法 [P].

廖广兰 ;

叶海波 ;

刘智勇 ;

刘星月 ;

张许宁 ;

史铁林 ;

汤自荣 .

中国专利 :CN112820824A ,2021-05-18

[9]

全无机钙钛矿多重阻变忆阻器的制备方法 [P].

阮伟 ;

张树芳 ;

张志伟 ;

胡延强 .

中国专利 :CN109346601A ,2019-02-15

[10]

一种高性能钙钛矿忆阻器的制备方法 [P].

孟娟 ;

李婧雯 ;

杨蕾蕾 ;

姜宇豪 .

中国专利 :CN120835722A ,2025-10-24

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