沟槽栅超结器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810695756.0

申请日：

2018-06-29

公开(公告)号：

CN108878514B

公开(公告)日：

2018-11-23

发明(设计)人：

李昊

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336 H01L2978

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20180629
2021-04-06	授权	授权
2018-11-23	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽栅超结器件及其制造方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN108807517B ,2018-11-13

[2]

沟槽栅超结器件及其制造方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN107591440A ,2018-01-16

[3]

沟槽栅超结器件及其制造方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN107706228A ,2018-02-16

[4]

沟槽栅超结器件的制造方法 [P].

肖胜安 ;

曾大杰 ;

李东升 .

中国专利 :CN107994076A ,2018-05-04

[5]

沟槽栅超结器件及其制造方法 [P].

肖胜安 ;

曾大杰 ;

干超 .

中国专利 :CN117637837A ,2024-03-01

[6]

沟槽栅超结器件及其制造方法 [P].

肖胜安 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN117637836A ,2024-03-01

[7]

沟槽栅超结器件及其制造方法 [P].

肖胜安 ;

曾大杰 ;

干超 .

中国专利 :CN117637838A ,2024-03-01

[8]

超结沟槽栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

田甜 ;

许昭昭 ;

潘嘉 ;

陈思彤 ;

徐进 .

中国专利 :CN120302684A ,2025-07-11

[9]

沟槽栅超结器件及其制造方法 [P].

肖胜安 ;

曾大杰 ;

李东升 .

中国专利 :CN107994074A ,2018-05-04

[10]

沟槽栅超结器件及其制造方法 [P].

支立明 ;

杜发瑞 .

中国专利 :CN117995908A ,2024-05-07

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