半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811583471.4

申请日：

2018-12-24

公开(公告)号：

CN109979949A

公开(公告)日：

2019-07-05

发明(设计)人：

中山知士绵贯真一小松大士桑岛照弘小仓卓奥秋广幸清水繁明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27144

IPC分类号：

H01L23528 H01L2348 H01L21768

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/144 申请日:20181224
2019-07-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

中山知士 ;

绵贯真一 ;

小松大士 ;

桑岛照弘 ;

小仓卓 ;

奥秋广幸 ;

清水繁明 .

日本专利 :CN109979949B ,2024-06-28

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

筱原博文 ;

尾田秀一 ;

岩松俊明 .

中国专利 :CN104425497B ,2015-03-18

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

小笠原淳 ;

神山徹 ;

远藤恭介 .

中国专利 :CN101930919A ,2010-12-29

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

中野佑纪 .

中国专利 :CN101981701B ,2011-02-23

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

北村恒二 ;

砂永登志男 ;

宫武久忠 .

中国专利 :CN1565058A ,2005-01-12

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

田中成明 ;

冈彻 .

中国专利 :CN104716175A ,2015-06-17

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

小谷凉平 ;

松原寿树 ;

石塚信隆 ;

三川雅人 ;

押野浩 .

中国专利 :CN109952633B ,2019-06-28

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

中村哲也 ;

泽田和幸 .

中国专利 :CN1885565A ,2006-12-27

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

泉隆史 ;

籏崎晃次 ;

中岛绅伍 .

中国专利 :CN115411047A ,2022-11-29

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

堤聪明 ;

奥平智仁 ;

柏原庆一朗 ;

山口直 .

中国专利 :CN101090116A ,2007-12-19

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