一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛陶瓷材料制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011180494.8

申请日：

2020-10-29

公开(公告)号：

CN112266251A

公开(公告)日：

2021-01-26

发明(设计)人：

肖光春张帅陈照强许崇海衣明东张静婕

申请人：

申请人地址：

250353 山东省济南市长清区大学路3501号

IPC主分类号：

C04B35565

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

济南圣达知识产权代理有限公司 37221

代理人：

李筝

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/565 申请日:20201029
2021-01-26	公开	公开

共 50 条

[1]

放电等离子烧结制备多孔氮化硅的方法 [P].

张长森 ;

冯厚坤 .

中国专利 :CN105439620A ,2016-03-30

[2]

一种放电等离子烧结制备高硬度高韧性氮化硅陶瓷的方法 [P].

田君 ;

付郭锋 ;

周娟 ;

林智杰 ;

戴品强 ;

常发 ;

洪春福 .

中国专利 :CN117776738A ,2024-03-29

[3]

碳化钨-氮化硅复合材料及其放电等离子烧结方法 [P].

汪振华 ;

尹朝辉 ;

黄雷 .

中国专利 :CN117417190A ,2024-01-19

[4]

一种高热导率的放电等离子烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法 [P].

李寅生 ;

黄斌炜 ;

钱壮 ;

尹自强 ;

黄庆 .

中国专利 :CN118359440A ,2024-07-19

[5]

一种双加热模式放电等离子烧结制备致密氮化硅的方法 [P].

王玉成 ;

郑永光 ;

张金咏 ;

张帆 ;

傅正义 ;

王为民 .

中国专利 :CN109761620A ,2019-05-17

[6]

放电等离子烧结工艺合成高纯致密块体氮化铝钛陶瓷材料 [P].

梅炳初 ;

严明 ;

周卫兵 ;

朱教群 ;

田晨光 ;

王苹 .

中国专利 :CN1919793A ,2007-02-28

[7]

氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

何东 ;

张天宇 ;

宋晓超 ;

张天舒 .

中国专利 :CN106866154A ,2017-06-20

[8]

采用放电等离子烧结制备氮掺杂导电碳化硅陶瓷的方法 [P].

李华鑫 ;

沈伟健 ;

杨建国 ;

贺艳明 ;

郑文健 ;

闾川阳 ;

马英鹤 ;

郑勇 ;

魏连峰 .

中国专利 :CN113735591A ,2021-12-03

[9]

钛箔中间层辅助放电等离子烧结连接碳化硅陶瓷的方法 [P].

徐世伟 ;

王韶东 ;

李春萱 ;

张桂美 .

中国专利 :CN120554137A ,2025-08-29

[10]

基于氮化硅的生物医用陶瓷材料的制备方法 [P].

陈威 ;

史鸿星 ;

刘杏 .

中国专利 :CN108117396A ,2018-06-05

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