作为半导体的[1,5]二氮杂萘化合物和聚合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680080998.8

申请日：

2016-12-30

公开(公告)号：

CN108602826A

公开(公告)日：

2018-09-28

发明(设计)人：

L·南森 N·布劳因 W·米切尔 J·卡莫隆 P·斯卡巴拉

申请人：

申请人地址：

德国达姆施塔特

IPC主分类号：

C07D48702

IPC分类号：

C07D51900 C08G6100 H01L5100

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

李颖;林柏楠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C07D 487/02 申请日:20161230
2022-01-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C07D 487/02 申请公布日:20180928
2020-09-25	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C07D 487/02 登记生效日:20200908 变更事项:申请人变更前权利人:默克专利有限公司变更后权利人:天光材料科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:德国达姆施塔特变更后权利人:中国台湾新竹科学工业园区园区二路60号二楼
2018-09-28	公开	公开

共 50 条

[1]

基于二吡咯并[1,2-b:1’,2’-g][2,6]二氮杂萘-5,11-二酮的聚合物和化合物 [P].

M·格里兹波斯基 ;

D·格里科 ;

B·萨多夫斯基 ;

K·斯特拉塞尔 ;

P·哈约兹 ;

D·克尔布莱因 .

中国专利 :CN108137591B ,2018-06-08

[2]

包含聚合物有机半导体化合物的组合物 [P].

菲利普·爱德华·马伊 ;

马克·詹姆斯 ;

苏珊·霍伊恩 ;

凯蒂·考特 .

中国专利 :CN104871330A ,2015-08-26

[3]

新的1,8-二氮杂萘化合物 [P].

D·圭亚迪恩 ;

J·J·黑尔 ;

S·科坦达拉曼 .

中国专利 :CN101663037A ,2010-03-03

[4]

含有小分子半导体化合物和非导电聚合物的薄膜半导体 [P].

T·魏茨 ;

T·格斯纳 ;

刚也纯一 ;

己史公之 .

中国专利 :CN107207492A ,2017-09-26

[5]

作为CDK抑制剂的取代的1,5-二氮杂萘唑烷酮类化合物 [P].

刘进军 .

中国专利 :CN101155808B ,2008-04-02

[6]

二羟基化合物的混合物及其聚合物 [P].

T·下田 ;

K·宇野 ;

K·M·施诺 ;

M·J·西普罗 ;

S·J·舍弗 .

中国专利 :CN1133855A ,1996-10-23

[7]

作为有机半导体的氮杂二萘嵌苯 [P].

F·比尼沃尔德 ;

B·施米德哈尔特 ;

U·贝伦斯 ;

H·J·柯纳 .

中国专利 :CN101176217B ,2008-05-07

[8]

聚(芳醚酮二氮杂萘酮)的高温聚合物掺合物 [P].

王益锋 ;

许砥中 ;

艾伦·S·海 ;

李坤 ;

巴维恩·N·帕特尔 .

中国专利 :CN102597112A ,2012-07-18

[9]

萘-酰亚胺半导体聚合物 [P].

A·法切蒂 ;

陈志华 ;

颜河 ;

郑焱 ;

J·奎因 ;

M·卡斯特勒 ;

F·德兹 ;

S·克勒 .

中国专利 :CN101965374A ,2011-02-02

[10]

聚(芳醚酮二氮杂萘酮)的高温聚合物掺合物 [P].

王益锋 ;

许砥中 ;

艾伦·S·海 ;

李坤 ;

巴维恩·N·帕特尔 .

中国专利 :CN105255152B ,2016-01-20

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